mette in risalto • la validità del confronto tra i risultati dei test dc e rf htol è un problema chiave nei test di affidabilità. • Esaminiamo se l'autoriscaldamento dc e rf, e quindi la temperatura del canale, sono equivalenti. • a tale scopo è stato sviluppato un modello elettrotermico validato sperimentalmente. • La temperatura del canale è risultata equivalente durante il funzionamento di rf e dc alle tensioni di funzionamento tipiche. astratto la temperatura del canale è un parametro chiave per il test di durata accelerata in orli. si presume che l'autoriscaldamento sia simile nelle operazioni rf e dc e che i risultati del test di cc possano essere applicati all'operazione rf. Indaghiamo se questa ipotesi è valida utilizzando un modello elettrico e termico combinato calibrato sperimentalmente per simulare il riscaldamento della joule durante il funzionamento e confrontarlo con l'autoriscaldamento in CC alla stessa dissipazione di potenza. vengono esaminati due casi e vengono discusse le implicazioni per il test di durata accelerata: tensioni di drain tipiche (30 v) e alte (100 v). parole chiave Gan; HEMT; affidabilità; temperatura; simulazione; termografia; rf fonte: ScienceDirect per ulteriori informazioni, si prega di visitare il nostro sito : www.powerwaywafer.com , mandaci una email a sales@powerwaywafer.com .
Il processo di sollevamento epitassiale consente la separazione dei livelli del dispositivo iii-v dai substrati di arseniuro di gallio ed è stato ampiamente studiato per evitare l'elevato costo dei dispositivi iii-v riutilizzando i substrati. i processi di sollevamento epitassiale convenzionali richiedono diverse fasi di post-elaborazione per ripristinare il substrato in una condizione epi-ready. qui presentiamo uno schema di sollevamento epitassiale che riduce al minimo la quantità di residui post-incisione e mantiene la superficie liscia, portando al riutilizzo diretto del substrato di arseniuro di gallio. il successo del riutilizzo diretto del substrato è confermato dal confronto delle prestazioni delle celle solari coltivate sull'originale e sui substrati riutilizzati. seguendo le caratteristiche del nostro processo di decollo epitassiale, è stata sviluppata una tecnica ad alto rendimento chiamata sollevamento epitassiale assistito dalla tensione superficiale. oltre a mostrare il trasferimento di film sottile di arseniuro di gallio su substrati rigidi e flessibili, dimostriamo anche dispositivi, tra cui diodi emettitori di luce e condensatori a semiconduttore di ossido di metallo, costruiti prima su sottili strati attivi e poi trasferiti su substrati secondari. figura 1: concetto di epitassiale lift-off (elo) processo e morfologie di superficie post-elo gaas con processi elo convenzionali e nuovi. (a) illustrazione schematica del processo di elo generale. (b, c) illustrazioni schematiche delle reazioni chimiche in prossimità dello strato sacrificale / interfacce del mordenzante durante il convenzionale e il nuovo processo elo e l'afm ima tridimensionale ... figura 2: morfologie superficiali delle superfici di Gaas durante il processo elo (a) afm immagini della superficie del substrato Gaas immerse sia in concentrato che diluito e hcl per 1 giorno. (b, c) sono le illustrazioni schematiche della chimica superficiale di Gaas immerse in hf e hcl, rispettivamente. figura 3: prestazioni di celle solari Gaas a singola giunzione fabbricate su substrati nuovi e riutilizzati ( a) caratteristiche di densità di corrente rispetto a tensione (j-v) delle celle solari di gaas sj coltivate e fabbricate su substrati nuovi (simboli verdi) e riutilizzati (simboli blu). riquadro: parametri di prestazione delle celle solari. (b) eqe di celle solari coltivate su ... figura 4: processo elo assistito a tensione superficiale. (a) illustrazione schematica del processo (sta) elo assistito alla tensione superficiale. (b) velocità di attacco di inalp in hcl come funzione della direzione cristallografica. la massima velocità di attacco si trova a. tutti i dati sono stati normalizzati da max ... figura 5: film sottili di gaas trasferiti su substrati rigidi e flessibili. (a) dimostrazioni dei film sottili di gaas trasferiti sul substrato rigido (sinistra, gaas su 4 \"si wafer centro, gha su oggetto solido curvo destra, gaas su vetro) e (b) substrati flessibili (sinistra, gaa...
mette in risalto • Vengono studiati gli effetti della larghezza del gradino atomico sulla rimozione di zaffiri e sic wafer. • il motivo degli effetti della larghezza del passo sulla rimozione e il modello sono discussi. • Viene proposto il modello di rimozione di cmp di wafer esagonale per ottenere una superficie perfettamente liscia. • vengono analizzate le variazioni della morfologia del gradino atomico verso i difetti. • Viene discusso il meccanismo di formazione dei difetti. absrtact verso lo zaffiro e il wafer siciliano, la morfologia del gradino atomico chiaro e regolare potrebbe essere osservata su tutta la superficie via afm. tuttavia, le variazioni delle larghezze degli step atomici e delle direzioni dei passi sono diverse sull'insieme delle diverse superfici dei wafer: quelle su wafer di zaffiro sono uniformi, mentre quelle su wa wafer sono distinte. vengono studiati gli effetti della larghezza del gradino atomico sulla velocità di rimozione. Viene proposto il modello di rimozione del wafer super-duro per realizzare una superficie atomicamente ultra-liscia. le variazioni della morfologia a gradino atomico verso diversi difetti su superficie di wafer zaffiro e sic sono analizzate e viene discusso il meccanismo di formazione. parole chiave lucidatura meccanica chimica (cmp); zaffiro; carburo di silicio (sic); passo atomico fonte: ScienceDirect per ulteriori informazioni, si prega di visitare il nostro sito: www.powerwaywafer.com , inviaci una email a sales@powerwaywafer.com .
la cristallinità del grafene epitassiale (ad esempio) cresciuto su un substrato esagonale-sic si trova ad essere migliorata notevolmente tappando il substrato con una piastra di molibdeno (piastra mo) durante la ricottura sotto vuoto. il miglioramento della cristallinità, ad esempio dello strato cresciuto con capping mo-plate, è confermato dal cambiamento significativo degli spettri raman misurati, rispetto agli spettri senza alcun limite. il capping mo-plate è considerato per indurre l'accumulo di calore sulla superficie sic attraverso il mirroring della radiazione termica e aumentare la pressione parziale vicino alla superficie, limitando gli atomi di sublimati tra substrato e piastra mo, che sarebbero i contributori essenziali del miglioramento della cristallinità. introduzione Il grafene è un materiale 2d composto da un monostrato di atomi di carbonio disposti in una struttura a reticolo a nido d'ape1,2,3,4. a causa della sua superiore mobilità di elettroni e buche, il grafene è stato considerato un promettente materiale candidato per dispositivi elettronici ultrarapidi che operano in regime di frequenza 5. il primo isolamento con successo del grafene è stato ottenuto mediante la grafite pirolitica altamente orientata (hopg) altamente esfoliante 2. sebbene i fiocchi di grafene monocristallino di alta qualità possano essere ottenuti mediante esfoliazione meccanica, le dimensioni delle scaglie di grafene sono troppo piccole (\u0026 lt; 100 μm) per le applicazioni pratiche6. diverse alternative tra cui la deposizione chimica da vapore (cvd) 7,8, la deposizione di sorgenti solide9,10 e la grafite superficiale di sic4,6,11,12,13,14 sono state esplorate per la sintesi di grafene su larga scala. di particolare interesse è la grafitazione superficiale di un singolo cristallino per ricottura termica in ambiente ultra alto vuoto (uhv) 4 o ar6 ad alta temperatura (\u0026 gt; 1300 ° c). in questo processo, solo gli atomi di si sono sublimati dalla superficie e gli atomi di c rimanenti si riorganizzano in modo da formare un uniforme del campione, il cosiddetto grafene epitassiale (es.) su si-face (0001) o c-face (000-1) surface15. ad esempio, la superficie cresciuta su c-face è normalmente più spessa (tipicamente 10-20 strati) rispetto a quella su superficie si-face ma la sua mobilità portante può raggiungere anche 18.700 cm2v-1s-1 14. hass et al.showed from first- calcoli di principi che tale elevata mobilità portante di c-face, ad esempio, è dovuta agli unici errori di accatastamento rotazionale che risiedono in c-face eg16. questi difetti di impilamento rotazionale disaccoppiano elettronicamente gli strati di grafene adiacenti e fanno sì che gli strati di grafene multipli mantengano le proprietà elettroniche di un grafene a strato singolo isolato. molto recentemente, trabelsi et al. hanno riportato che alcuni o addirittura singoli strati di grafene potevano essere coltivati epitassialmente sulla superficie della faccia c sotto forma di isole (centina...
abbiamo usato mbe per crescere in aln / gan superlattici, con un numero diverso di periodi, su modelli di movpe-gan da 2,5 μm per studiare lo sviluppo di difetti come la deformazione superficiale dovuta allo strain. dopo la crescita i campioni sono stati studiati mediante microscopia a forza atomica (afm), microscopia elettronica a trasmissione (tem), spettroscopia infrarossa a trasformata xrd e fourier (ft-ir). la tensione aumentava con il numero di pozzi quantistici (qws) e alla fine causava difetti come microcracks visibili al microscopio ottico in quattro o più periodi di qw. le immagini tematiche ad alta risoluzione mostravano basse recessioni sulla superficie (deformazione superficiale) che indicavano la formazione di microcracks nella regione del mqw. l'intersuolabile misurata (è) linewidth di assorbimento da una struttura di quattro periodi era 97 mev, che è paragonabile con lo spettro di una struttura di 10 periodi ad una energia di assorbimento di ~700 mev. questo indica che la qualità dell'interfaccia del mqw non è sostanzialmente influenzata dalla presenza di cricche. parole chiave intersottobanda; Gan; MBE; crepe superficiali; substrato di zaffiro; modello fonte: ScienceDirect per ulteriori informazioni, si prega di visitare il nostro sito : www.powerwaywafer.com , mandaci una email a sales@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com .
sono stati effettuati gli studi di ottimizzazione epitassica di leghe di alinn di tipo n di alta qualità con diversi contenuti di indio cresciuti su due tipi di substrati mediante epitassia di fase di vapore di metallo (movpe). sono stati esaminati l'effetto della pressione di crescita e del rapporto molare v / iii sul tasso di crescita, sul contenuto di indio e sulla morfologia superficiale di questi film sottili di alinn sviluppati in movimento. le morfologie superficiali dei campioni sono state caratterizzate mediante microscopia elettronica a scansione e microscopia a forza atomica. variando le temperature di crescita da 860 ° C a 750 ° C, i contenuti di indio in leghe di alluminio sono aumentati dallo 0,37% al 21,4% come determinato dalle misurazioni di diffrazione dei raggi X (xrd). sono stati eseguiti gli studi di ottimizzazione sulle condizioni di crescita per ottenere modelli alinn su gan quasi reticolari che si trovavano su substrati di zaffiro e gan indipendenti, ei risultati sono stati analizzati in modo comparativo. Vengono inoltre discusse diverse applicazioni della lega di alluminio per diodi termoelettrici e di emissione di luce. mette in risalto ► ottimizzazione della crescita del movpe della lega di alinn su modello di gan e substrato free-standing. ► una minore pressione di crescita e un rapporto v / iii più elevato hanno portato a una migliore qualità del materiale alinn. ► la minore temperatura di crescita ha portato a un contenuto più elevato con 780 ° c per raggiungere al 0.83 in 0,27 n. ► l'uso del substrato nativo gan comporta una riduzione della ruvidità e dei difetti superficiali del materiale. ► viene presentato il potenziale di alinn per LED e applicazioni termoelettriche. parole chiave a3. epitassia di fase di vapore metallo-organico; b1. nitruri; b2. materiali iii-v semiconduttori; b3. diodi emettitori di luce fonte: ScienceDirect per ulteriori informazioni, si prega di visitare il nostro sito: www.powerwaywafer.com , mandaci una email a sales@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com .
mette in risalto • elaborazione di una membrana liscia 3c-sic su un substrato sic . • Superficie sfaccettata per l'orientamento (110) ma più uniforme per l'orientamento (111). • rugosità della membrana 3c-sic limitata a 9 nm per l'orientamento (111). • I nuovi dispositivi mems sono fattibili. • le enormi proprietà sic potrebbero essere interamente sfruttate. il politipo cubico di carburo di silicio è un candidato interessante per applicazioni di sistemi microelettromeccanici (mems) a causa delle sue straordinarie proprietà fisico-chimiche. il recente sviluppo di eterostrutture si-sic multiple multi-stack ha dimostrato la possibilità di ottenere una membrana 3c-sic (110) su uno pseudo-substrato 3c-sic, utilizzando uno strato di silicio cresciuto mediante deposizione di vapore chimico a bassa pressione come sacrificale uno. tuttavia, l'orientamento (110) della membrana 3c-sic ha portato a una superficie sfaccettata e ruvida che potrebbe ostacolare il suo utilizzo per lo sviluppo di nuovi dispositivi mems. quindi, in questo contributo, viene utilizzato un processo di crescita ottimizzato per migliorare la qualità della superficie della membrana 3c-sic. il progresso si basa sulla padronanza di un orientamento (111) per il film sic, risultante in una superficie liscia. una struttura così ottimizzata potrebbe essere il punto di partenza per il raggiungimento di nuovi dispositivi mems in applicazioni mediche o in ambienti difficili. astratto grafico parole chiave 3c-sic; micromachining; LPCVD; microstruttura; membrana; MEMS fonte: ScienceDirect per ulteriori informazioni, si prega di visitare il nostro sito : www.powerwaywafer.com , mandaci una email a sales@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com .
sic negli ultimi anni è diventato sempre più importante come materiale per dispositivi di potenza per applicazioni ad alta tensione. lo strato epitassiale denso a basso contenuto di tensione e drogato viene normalmente cresciuto da cvd su substrati 4h-sic 4 ° off-cut a un tasso di crescita della vista della sorgente mathml usando silani (sih4) e propano (c3h8) o etilene (c2h4) come precursori. le concentrazioni di difetti e dislocazioni epitassiali dipendono in larga misura dal substrato sottostante, ma possono anche essere influenzate dall'effettivo processo di crescita epitassiale. qui presenteremo uno studio sulle proprietà degli strati epitassiali cresciuti con una tecnica basata su cl su un substrato 4h-sic a un asse (90 ° off-cut from c-direction). parole chiave 4H-sic; una faccia; DLT; fotoluminescenza; Raman; epitassia fonte: ScienceDirect per ulteriori informazioni, si prega di visitare il nostro sito : www.powerwaywafer.com , mandaci una email a sales@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com .
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