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substrato gan indipendente

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pam-xiamen ha stabilito la tecnologia di produzione per wafer di substrato gan indipendente (nitruro di gallio), che è per uhb-led e ld. cresciuto con tecnologia di epitassia a fase di vapore idruro (hvpe), il nostro substrato gan ha una bassa densità di difetti.
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substrato gan indipendente


pam-xiamen ha stabilito la tecnologia di produzione per substrato gan indipendente (nitruro di gallio) wafer che è per uhb-led e ld. cresciuta con la tecnologia dell'epitassia a fase di vapore idruro (hvpe), il nostro substrato gan ha una bassa densità di difetti e una densità di difetti macro ridotta o libera.

specifica di substrato gan indipendente

qui mostra le specifiche di dettaglio:

2" substrato gan free-standing (nitruro di gallio)

articolo

pam-fs-gan50-n

pam-fs-gan50-si

tipo di conduzione

tipo n

semi-isolante

dimensione

2" (50.8) +/- 1 millimetro

spessore

300 +/- 50um

orientamento

c-asse (0001) +/- 0.5 o

appartamento primario  Posizione

(1-100) +/- 0.5 o

appartamento primario  lunghezza

16 +/- 1 millimetro

appartamento secondario  Posizione

(11-20) +/- 3 o

appartamento secondario  lunghezza

8 +/- 1 millimetro

resistività (300k)

u0026 Lt; 0.5Ω · cm

u0026 Gt; 10 6 Ω · cm

dislocazione  densità

u0026 Lt; 5x10 6 cm-2

difetto di Marco  densità

un grado u0026 lt; = 2 cm -2 B  grade u0026 gt; 2 centimetri -2

TTV

u0026 Lt; = 15um

arco

u0026 Lt; = 20um

finitura superficiale

superficie frontale: ra u0026 lt; 0.2nm.epi-ready  lucidato

superficie posteriore: 1. fine terra 2. attraverso macinato

area utilizzabile ≥ 90%




1.5" substrato gan free-standing

articolo

pam-fs-gan38-n

pam-fs-gan38-si

tipo di conduzione

tipo n

semi-isolante

dimensione

1.5" (38,1) +/- 0.5mm

spessore

260 +/- 20um

orientamento

c-asse (0001) +/- 0.5 o

appartamento primario  Posizione

(1-100) +/- 0.5 o

appartamento primario  lunghezza

12 +/- 1 millimetro

appartamento secondario  Posizione

(11-20) +/- 3 o

appartamento secondario  lunghezza

6 +/- 1 millimetro

resistività (300k)

u0026 Lt; 0.5Ω · cm

u0026 Gt; 10 6 Ω · cm

dislocazione  densità

u0026 Lt; 5x10 6 cm-2

difetto di Marco  densità

un grado u0026 lt; = 2 cm -2 B  grade u0026 gt; 2 centimetri -2

TTV

u0026 Lt; = 15um

arco

u0026 Lt; = 20um

finitura superficiale

davanti  superficie: ra u0026 lt; 0.2nm.epi-ready lucido

superficie posteriore: 1. fine terra 2. attraverso macinato

area utilizzabile ≥ 90%


15mm, 10mm, 5 millimetri substrato gan free-standing

articolo

pam-fs-gan15-n  pam-fs-gan10-n pam-fs-gan5-n

pam-fs-gan15-si  pam-fs-gan10-si pam-fs-gan5-si

tipo di conduzione

tipo n

semi-isolante

dimensione

14.0mm * 15mm 10.0mm * 10.5mm 5.0 * 5.5mm

spessore

230 +/- 20um,  280 +/- 20um

orientamento

c-asse (0001) +/- 0.5 o

appartamento primario  Posizione

u0026 EMSP;

appartamento primario  lunghezza

u0026 EMSP;

appartamento secondario  Posizione

u0026 EMSP;

appartamento secondario  lunghezza

u0026 EMSP;

resistività (300k)

u0026 Lt; 0.5Ω · cm

u0026 Gt; 10 6 Ω · cm

dislocazione  densità

u0026 Lt; 5x10 6 cm-2

difetto di Marco  densità

0 centimetri -2

TTV

u0026 Lt; = 15um

arco

u0026 Lt; = 20um

finitura superficiale

davanti  superficie: ra u0026 lt; 0.2nm.epi-ready lucido

superficie posteriore: 1. fine terra 2. attraverso macinato

area utilizzabile ≥ 90%


Nota:

wafer di convalida : considerando la convenienza dell'uso, pam-xiamen offre un wafer di convalida di 2 "zaffiro per dimensioni inferiori a 2" substrato gan indipendente


applicazione del substrato gan


illuminazione a stato solido: i dispositivi gan sono utilizzati come diodi ad alta luminosità (LED), televisori, automobili e illuminazione generale


Memoria dvd: diodi laser blu

dispositivo di alimentazione: i dispositivi gan vengono utilizzati come componenti diversi nell'elettronica di potenza ad alta potenza e ad alta frequenza come stazioni base cellulari, satelliti, amplificatori di potenza e inverter / convertitori per veicoli elettrici (ev) e veicoli elettrici ibridi (hev). La bassa sensibilità di Gan alle radiazioni ionizzanti (come altri nitruri di gruppo iii) lo rende un materiale adatto per applicazioni spaziali quali array di celle solari per satelliti e dispositivi ad alta potenza e ad alta frequenza per comunicazioni, meteo e satelliti di sorveglianza

ideale per la ricrescita di nitroderoli

stazioni base wireless: transistor di potenza RF


accesso a banda larga wireless: MMics ad alta frequenza, circuiti MMF di circuiti RF


sensori di pressione: mems


sensori di calore: rilevatori piroelettrici


potenza condizionata: integrazione segnale gan / si mista


elettronica automobilistica: elettronica ad alta temperatura

linee di trasmissione di potenza: elettronica ad alta tensione


Sensori frame: rilevatori uv


celle solari: l'ampia banda proibita di Gan copre lo spettro solare da 0,65 EV a 3,4 EV (che è praticamente l'intero spettro solare), producendo nitruro di indio e gallio

(ingan) leghe perfette per creare materiale di celle solari. a causa di questo vantaggio, le celle solari ingan cresciute su substrati gan sono destinate a diventare una delle nuove applicazioni più importanti e un mercato in crescita per i wafer di substrato gan.

ideale per hemts, fets


progetto gan schottky diode: accettiamo specifiche personalizzate di diodi schottky fabbricati sugli strati di nitruro di gallio (gan) di tipo n- e p, di alta qualità e indipendenti.

entrambi i contatti (ohmico e schottky) sono stati depositati sulla superficie superiore usando al / ti e pd / ti / au.

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