chi siamo

come il produttore principale di materiale semiconduttore composto in Cina. pam-xiamen sviluppa avanzate tecnologie di crescita dei cristalli e di epitassia, spaziano dalla prima generazione di wafer al germanio, all'arseniuro di gallio di seconda generazione con crescita del substrato ed epitassia 6
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dopo più di 20 anni di accumulo e sviluppo, la nostra azienda ha un evidente vantaggio nell'innovazione tecnologica e nel pool di talenti. in futuro, dobbiamo accelerare il ritmo delle azioni concrete per fornire ai clienti prodotti e servizi migliori
dottore chan -CEO di xiamen powerway advanced material co., ltd

i nostri prodotti

laser blu

modelli di gan

I prodotti del modello di pam-xiamen sono costituiti da strati cristallini di nitruro di gallio (gan), nitruro di alluminio (aln), nitruro di gallio di alluminio (algan) e nitruro di gallio indio (ingan), che si depositano su substrati di zaffiro, i modelli di carburo di silicio o di silicon.pam-xiamen consentono tempi di ciclo epitassiale più brev6

gan su silicio

substrato gan indipendente

pam-xiamen ha stabilito la tecnologia di produzione per wafer di substrato gan indipendente (nitruro di gallio), che è per uhb-led e ld. cresciuto con tecnologia di epitassia a fase di vapore idruro (hvpe), il nostro substrato gan ha una bassa densità di difetti.

cristallo di gaas

wafer di gaas (arseniuro di gallio)

pwam sviluppa e produce substrati semiconduttori composti: cristallo di arseniuro di gallio e wafer. Abbiamo utilizzato tecnologie avanzate per la crescita dei cristalli, il congelamento con gradiente verticale (vgf) e il gaas wafer, stabilito una linea di produzione dalla crescita dei cristalli, taglio, molatura alla lavorazione della lucidatura e6

cristallo sic

sic epitaxy

forniamo su misura film sottile personalizzato (carburo di silicio) sicità su substrati 6h o 4h per lo sviluppo di dispositivi in ​​carburo di silicio. sic epi wafer viene utilizzato principalmente per diodi schottky, transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo, transistor a effetto di campo a giunzione, transistor a giunzion6

cristallo sic

substrato sic

pam-xiamen offre wafer in carburo di silicio a semiconduttore, 6h sic e 4h sic in diversi gradi di qualità per ricercatore e produttori industriali. abbiamo sviluppato la tecnologia di crescita del cristallo sic e la tecnologia di trattamento del cristallo sic sic, ha stabilito una linea di produzione per substrato produttore sic, che viene applica6

gan expitaxy

wafer epitassiale a base di gan

Il wafer epitassiale a base di gan (ossido di gallio) di pam-xiamen è per i diodi a emissione luminosa (LED) e diodi laser (ld) ad altissima luminosità blu e verde.

gan hemt epitaxy

gan hemt epitaxial wafer

i nuclei di nitruro di gallio (gan) (transistori ad alta mobilità elettronica) sono la prossima generazione della tecnologia dei transistor di potenza RF. Grazie alla tecnologia gan, pam-xiamen ora offre wafer algan / gan hemt epi su zaffiro o silicio e algan / gan su modello zaffiro .

cristallo sic

sic wafer reclaim

pam-xiamen è in grado di offrire i seguenti servizi di wafer reclaim sic.

perché sceglierci

  • supporto tecnologico gratuito e professionale

    puoi ottenere il nostro servizio gratuito di tecnologia dall'inchiesta al servizio post-vendita basato sul nostro 25+ esperienze nella linea dei semiconduttori.

  • buon servizio di vendita

    il nostro obiettivo è soddisfare tutte le vostre esigenze, non importa quanto piccoli ordini e come domande difficili possono essere, per mantenere una crescita sostenuta e redditizia per ogni cliente attraverso i nostri prodotti qualificati e un servizio soddisfacente.

  • Più di 25 anni di esperienza

    con più di 25 + anni esperienze nel settore dei materiali compositi semiconduttori e nelle attività di esportazione, il nostro team può assicurarvi che siamo in grado di comprendere le vostre esigenze e affrontare il vostro progetto professionalmente.

  • qualità affidabile

    la qualità è la nostra prima priorità. pam-xiamen è stato ISO9001: 2008 , possiede e condivide quattro moderne aziende che possono fornire una vasta gamma di prodotti qualificati per soddisfare le diverse esigenze dei nostri clienti, e ogni ordine deve essere gestito attraverso il nostro rigoroso si6

"abbiamo utilizzato i power epi wafer per alcuni dei nostri lavori. Siamo molto colpiti dalla qualità dell'epi"
james s.speck, dipartimento dei materiali dell'università della california
2018-01-25
"cari team pam-xiamen, grazie per la vostra opinione professionale, il problema è stato risolto, siamo così felici di essere il vostro partner"
raman k. chauhan, seren photonics
2018-01-25
"grazie per la rapida risposta delle mie domande e il prezzo competitivo, è molto utile per noi, ordineremo di nuovo presto"
Markus Sieger, Università di Ulm
2018-01-25
"I wafer in carburo di silicio sono arrivati ​​oggi, e siamo davvero contenti di loro! Il pollice in su al tuo staff di produzione!"
Dennis, università di Exeter
2018-01-25

le università e le aziende più famose del mondo si fidano di noi

ultime notizie

The generation of crystal defects in Ge-on-insulator (GOI) layers in the Ge-condensation process

2019-03-18

The formation process of crystal defects in a Ge-on-insulator layer(GOI layer)  fabricated by oxidizing a SiGe-on-insulator (SGOI) layer, known as the Ge-condensation technique, is studied systematically. It is found that the crystal defects in the GOI layer are threading dislocations and microtwins that are formed mainly in the Ge fraction range larger than ~0.5. Also, when the Ge fraction reaches ~1 and the GOI layer is formed, the density of microtwins significantly decreases and their width considerably increases. The relaxation of compressive strain, observed in SGOI and GOI layers, is not attributable to the formation of the microtwins, but to the perfect dislocations that cannot be detected as defects in the lattice image. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com

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Infrared spectroscopy characterization of 3C–SiC epitaxial layers on silicon

2019-03-12

We have measured the transmission Fourier transform infrared spectra of cubic silicon carbide (3C–SiC polytype) epitaxial layer with a 20 µm thickness on a 200 µm thick silicon substrate. Spectra were recorded in the 400–4000 cm−1 wavenumber range. A novel approach of IR spectra computations based on the recursion capability of the C programming language is presented on the basis of polarized light propagation in layered media using generalized Fresnel's equations. The complex refractive indices are the only input parameters. A remarkable agreement is found between all of the experimental SiC and Si spectral features and the calculated spectra. A comprehensive assignment of (i) the two fundamental transverse optical (TO) (790 cm−1) and longitudinal optical (LO) (970 cm−1) phonon modes of 3C–SiC, (ii) with their overtones (1522–1627 cm−1) and (iii) the two-phonon optical-acoustical summation bands (1311–1409 cm−1) is achieved on the basis of available literature data. This approach allo...

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Chemical mechanical polishing and nanomechanics of semiconductor CdZnTe single crystals

2019-03-05

(1 1 1), (1 1 0) Cd0.96Zn0.04Te and (1 1 1) Cd0.9Zn0.1Te semiconductor wafers grown by the modified vertical Bridgman method with dimensions of 10 mm × 10 mm × 2.5 mm were lapped with a 2–5 µm polygonal Al2O3 powder solution, and then chemically mechanically polished by an acid solution having nanoparticles with a diameter of around 5 nm, corresponding to the surface roughnesses Ra of 2.135 nm, 1.968 nm and 1.856 nm. The hardness and elastic modulus of (1 1 1), (1 1 0) Cd0.96Zn0.04Te and (1 1 1) Cd0.9Zn0.1Te single crystals are 1.21 GPa, 42.5 GPa; 1.02 GPa, 44.0 GPa; and 1.19 GPa, 43.4 GPa, respectively. After nanocutting is performed by the Berkovich nanoindenter, the surface roughness Ra of the (1 1 1) Cd0.9Zn0.1Te single crystal attains a 0.215 nm ultra-smooth surface. The hardness and elastic modulus of three kinds of CdZnTe single crystals decrease with the increase of indentation load. When the nanoindenter departs the surface of the crystals, the adherence effects are obvious fo...

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Study on AlGaN/GaN growth on carbonized Si substrate

2019-02-26

AlGaN/GaN films were grown on carbonized Si(111) substrates, which were employed to prevent impurities such as residual Ga atoms from reacting and deteriorating the surface of Si substrates. The cleaning process for the flow channel in metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) could effectively be eliminated by using this carbonized Si substrate, and high-quality AlGaN/GaN films were obtained. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at angel.ye@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

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PAM XIAMEN offre una crescita epitassiale di HEMT a base di GaG di AlGaN su wafer di silicio

2019-02-18

PAM XIAMEN offre crescita epitassiale di Basato su AlGaN / GaN HEMT su wafer di Si Recentemente, PAM XIAMEN, uno dei principali fornitori di wafer epitassiali GaN, ha annunciato di aver sviluppato con successo "dischi wafer epitassiali di silicio su silicio (GaN-on-Si) da 6 pollici" e la sua dimensione di 6 pollici è sulla produzione di massa. PAM XIAMEN è efficace nei semiconduttori di terza generazione Nel ordine di delineare e cogliere le opportunità di sviluppo del composto largo bandito materiali semiconduttori (cioè la terza generazione industria dei materiali semiconduttori), PAM XIAMEN è stato investito in ricerca e sviluppo continuo, i dati mostrano che PAM XIAMEN è principalmente impegnato in in particolare la progettazione, lo sviluppo e la produzione di materiali semiconduttori materiali epitassiali al nitruro di gallio (GaN) , concentrandosi sull'applicazione di materiali correlati in avionica, comunicazione 5G, Internet of Things e altri campi, migliorare e ...

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Generazione di radiazioni a frequenza differenziale nelle gamme infrarosso e medio-infrarosso in un laser a due chip basato su arseniuro di gallio su substrato di germanio

2019-02-11

La possibilità di generazione efficiente di radiazioni a frequenza differenziale nelle gamme di infrarosso e medio raggio in un laser a due chip basato su arseniuro di gallio cresciuto su un substrato di germanio è considerato. Viene mostrato che un laser con una lunghezza d'onda di 100 μm che emette 1 W nel campo vicino-IR può generare ≈40 μW alla frequenza di differenza nella regione 5-50 THz a temperatura ambiente. Fonte: IOPscience Per ulteriori informazioni, si prega di visitare il nostro sito:www.semiconductorwafers.ne t, inviaci una email aangel.ye@powerwaywafer.com opowerwaymaterial@gmail.com

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PAM XIAMEN è paragonabile al Regno Unito IQE per costruire la catena di approvvigionamento epitassiale asiatica VCSEL

2019-01-28

PAM XIAMEN è paragonabile al Regno Unito IQE da costruire Catena di fornitura del nucleo epitassiale asiatico VCSEL Xiamen Powerway si concentra sulla R & S epitassiale composta da semiconduttori di fascia alta produzione. Nel 2018, i VCSEL da 4 pollici e da 6 pollici furono prodotti in serie e inseriti nel produttori di chip tradizionali a Taiwan. Utilizzando l'MBE più avanzato (Epitaxy molecolare Epitaxial Beam) tecnologia di produzione di massa per raggiungere il massima qualità dei prodotti epitassiali VCSEL di maggiore qualità del settore. Come sempre più smartphone e fornitori di apparecchiature IT seguono le orme di Apple, Saranno i sistemi di sensori 3D basati su VCEL (Vertical Cavity Surface Emitting Lasers) integrato nella loro nuova elettronica. Secondo a Memes Consulting, la spedizione di chip VCSEL per smartphone il prossimo anno è dovrebbe raddoppiare a 240 milioni nel 2018. Nei prossimi cinque anni, il globale Mercato VCSEL volontà continuare a crescere con la ca...

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Crescita semiaderente di strati Bi2Te3 su substrati InP mediante epitassia a parete calda

2019-01-21

Cerchiamo condizioni di crescita ottimali per realizzare piatti Livelli BiTe su InP (111) B per epitassia della parete calda. Il substrato fornisce un disallineamento di reticolo relativamente piccolo, e così gli strati con orientamento (0001) crescono semiaerentemente. La finestra della temperatura per la crescita è risultata stretta a causa della mancata corrispondenza del reticolo diverso da zero e della rapida rievaporazione di BiTe. Le qualità cristalline valutate mediante diffrazione dei raggi X rivelano deterioramenti quando la temperatura del substrato devia dall'ottimale non solo alle basse temperature ma anche alle alte temperature. Per alte temperature del substrato, la composizione Bi aumenta mentre Te viene parzialmente perso per sublimazione. Mostriamo, inoltre, che l'esposizione del flusso di BiTe a temperature ancora più elevate provoca l'incisione anisotropica dei substrati dovuta, presumibilmente, alla sostituzione di Bi dagli atomi di carbonio dai substra...

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Tornitura diamantata di piccoli array di lenti Fresnel in InSb a cristallo singolo

2019-01-14

Una piccola serie di lenti di Fresnel era un diamante trasformato in a wafer InSb monocristallino utilizzando un utensile diamantato a punto singolo con angolo di inclinazione negativo (-25 °) a mezzo raggio. La matrice lavorata consisteva in tre lenti Fresnel concave tagliate in sequenze di lavorazione diverse. I profili di lente di Fresnel sono stati progettati per operare nel dominio parassiale con distribuzione di fase quadratica. Il campione è stato esaminato mediante microscopia elettronica a scansione e un profilometro ottico. La profilometria ottica è stata anche utilizzata per misurare la rugosità superficiale della superficie lavorata. Trucioli duttili simili a nastri sono stati osservati sulla superficie del rastrello dell'utensile da taglio. Sull'utensile diamantato non si sono osservati segni di usura all'avanguardia. La superficie lavorata presentava una fase amorfa sondata dalla micro spettroscopia Raman. Un efficace trattamento termico di ricottura è stato e...

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Modellazione stratificata della crescita dei processi di crescita epitassiale per i politipi di SiC

2019-01-08

Processi di crescita epitassiali per Politipi di SiC in cui a Substrato SiC viene impiegato sono studiati utilizzando un modello di crescita a strati. Vengono forniti i corrispondenti diagrammi di fase dei processi di crescita epitassiali. I calcoli del primo principio sono usati per determinare i parametri nel modello di crescita stratificato. I diagrammi della fase di crescita stratificata mostrano che quando è consentito il riarrangiamento degli atomi in un doppio strato di Si-C superficiale, si forma la struttura 3C-SiC. Quando è consentito il riarrangiamento degli atomi in due strati di Si-C superficiali, il 4H-SiC la struttura è formata. Quando è consentito il riarrangiamento degli atomi in più di due bistrati di Si-C di superficie, eccetto il caso di cinque bistrati di Si-C superficiali, viene formata la struttura 6H-SiC, che è anche mostrata come la struttura dello stato fondamentale. Quando è permesso il riarrangiamento degli atomi in cinque strati di Si-C superficiali, si for...

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