chi siamo

come il produttore principale di materiale semiconduttore composto in Cina. pam-xiamen sviluppa avanzate tecnologie di crescita dei cristalli e di epitassia, spaziano dalla prima generazione di wafer al germanio, all'arseniuro di gallio di seconda generazione con crescita del substrato ed epitassia 6
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dopo più di 20 anni di accumulo e sviluppo, la nostra azienda ha un evidente vantaggio nell'innovazione tecnologica e nel pool di talenti. in futuro, dobbiamo accelerare il ritmo delle azioni concrete per fornire ai clienti prodotti e servizi migliori
dottore chan -CEO di xiamen powerway advanced material co., ltd

i nostri prodotti

laser blu

modelli di gan

I prodotti del modello di pam-xiamen sono costituiti da strati cristallini di nitruro di gallio (gan), nitruro di alluminio (aln), nitruro di gallio di alluminio (algan) e nitruro di gallio indio (ingan), che si depositano su substrati di zaffiro, i modelli di carburo di silicio o di silicon.pam-xiamen consentono tempi di ciclo epitassiale più brev6

gan su silicio

substrato gan indipendente

pam-xiamen ha stabilito la tecnologia di produzione per wafer di substrato gan indipendente (nitruro di gallio), che è per uhb-led e ld. cresciuto con tecnologia di epitassia a fase di vapore idruro (hvpe), il nostro substrato gan ha una bassa densità di difetti.

cristallo di gaas

wafer di gaas (arseniuro di gallio)

pwam sviluppa e produce substrati semiconduttori composti: cristallo di arseniuro di gallio e wafer. Abbiamo utilizzato tecnologie avanzate per la crescita dei cristalli, il congelamento con gradiente verticale (vgf) e il gaas wafer, stabilito una linea di produzione dalla crescita dei cristalli, taglio, molatura alla lavorazione della lucidatura e6

cristallo sic

sic epitaxy

forniamo su misura film sottile personalizzato (carburo di silicio) sicità su substrati 6h o 4h per lo sviluppo di dispositivi in ​​carburo di silicio. sic epi wafer viene utilizzato principalmente per diodi schottky, transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo, transistor a effetto di campo a giunzione, transistor a giunzion6

cristallo sic

substrato sic

pam-xiamen offre wafer in carburo di silicio a semiconduttore, 6h sic e 4h sic in diversi gradi di qualità per ricercatore e produttori industriali. abbiamo sviluppato la tecnologia di crescita del cristallo sic e la tecnologia di trattamento del cristallo sic sic, ha stabilito una linea di produzione per substrato produttore sic, che viene applica6

gan expitaxy

wafer epitassiale a base di gan

Il wafer epitassiale a base di gan (ossido di gallio) di pam-xiamen è per i diodi a emissione luminosa (LED) e diodi laser (ld) ad altissima luminosità blu e verde.

gan hemt epitaxy

gan hemt epitaxial wafer

i nuclei di nitruro di gallio (gan) (transistori ad alta mobilità elettronica) sono la prossima generazione della tecnologia dei transistor di potenza RF. Grazie alla tecnologia gan, pam-xiamen ora offre wafer algan / gan hemt epi su zaffiro o silicio e algan / gan su modello zaffiro .

cristallo sic

sic wafer reclaim

pam-xiamen è in grado di offrire i seguenti servizi di wafer reclaim sic.

perché sceglierci

  • supporto tecnologico gratuito e professionale

    puoi ottenere il nostro servizio gratuito di tecnologia dall'inchiesta al servizio post-vendita basato sul nostro 25+ esperienze nella linea dei semiconduttori.

  • buon servizio di vendita

    il nostro obiettivo è soddisfare tutte le vostre esigenze, non importa quanto piccoli ordini e come domande difficili possono essere, per mantenere una crescita sostenuta e redditizia per ogni cliente attraverso i nostri prodotti qualificati e un servizio soddisfacente.

  • Più di 25 anni di esperienza

    con più di 25 + anni esperienze nel settore dei materiali compositi semiconduttori e nelle attività di esportazione, il nostro team può assicurarvi che siamo in grado di comprendere le vostre esigenze e affrontare il vostro progetto professionalmente.

  • qualità affidabile

    la qualità è la nostra prima priorità. pam-xiamen è stato ISO9001: 2008 , possiede e condivide quattro moderne aziende che possono fornire una vasta gamma di prodotti qualificati per soddisfare le diverse esigenze dei nostri clienti, e ogni ordine deve essere gestito attraverso il nostro rigoroso si6

"abbiamo utilizzato i power epi wafer per alcuni dei nostri lavori. Siamo molto colpiti dalla qualità dell'epi"
james s.speck, dipartimento dei materiali dell'università della california
2018-01-25
"cari team pam-xiamen, grazie per la vostra opinione professionale, il problema è stato risolto, siamo così felici di essere il vostro partner"
raman k. chauhan, seren photonics
2018-01-25
"grazie per la rapida risposta delle mie domande e il prezzo competitivo, è molto utile per noi, ordineremo di nuovo presto"
Markus Sieger, Università di Ulm
2018-01-25
"I wafer in carburo di silicio sono arrivati ​​oggi, e siamo davvero contenti di loro! Il pollice in su al tuo staff di produzione!"
Dennis, università di Exeter
2018-01-25

le università e le aziende più famose del mondo si fidano di noi

ultime notizie

Integration of GaAs, GaN, and Si-CMOS on a common 200 mm Si substrate through multilayer transfer process

2019-11-18

The integration of III–V semiconductors (e.g., GaAs and GaN) and silicon-on-insulator (SOI)-CMOS on a 200 mm Si substrate is demonstrated. The SOI-CMOS donor wafer is temporarily bonded on a Si handle wafer and thinned down. A second GaAs/Ge/Si substrate is then bonded to the SOI-CMOS-containing handle wafer. After that, the Si from the GaAs/Ge/Si substrate is removed. The GaN/Si substrate is then bonded to the SOI–GaAs/Ge-containing handle wafer. Finally, the handle wafer is released to realize the SOI–GaAs/Ge/GaN/Si hybrid structure on a Si substrate. By this method, the functionalities of the materials used can be combined on a single Si platform. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

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Highly doped p-type 3C–SiC on 6H–SiC substrates

2019-11-11

Highly doped p-3C–SiC layers of good crystal perfection have been grown by sublimation epitaxy in vacuum. Analysis of the photoluminescence spectra and temperature dependence of the carrier concentration shows that at least two types of acceptor centers at ~EV + 0.25 eV and at EV + 0.06–0.07 eV exist in the samples studied. A conclusion is reached that layers of this kind can be used as p-emitters in 3C–SiC devices. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

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Photo-induced currents in CdZnTe crystals as a function of illumination wavelength

2019-11-05

We report variations in the currents of CdZnTe semiconductor crystals during exposure to a series of light emitting diodes of various wavelengths ranging from 470 to 950 nm. The changes in the steady-state current of one CdZnTe crystal with and without illumination along with the time dependence of the illumination effects are discussed. Analysis of the de-trapping and transient bulk currents during and after optical excitation yield insight into the behaviour of charge traps within the crystal. Similar behaviour is observed for illumination of a second CdZnTe crystal suggesting that the overall illumination effects are not crystal dependent. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

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Room-temperature bonding of GaAs//Si and GaN//GaAs wafers with low electrical resistance

2019-10-30

The electrical properties of room-temperature bonded wafers made from materials with different lattice constants, such as p-GaAs and n-Si, p-GaAs and n-Si [both with an indium tin oxide (ITO) surface layer], and n-GaN and p-GaAs, were investigated. The bonded p-GaAs//n-Si sample exhibited an electrical interface resistance of 2.8 × 10−1 Ωcm2 and showed ohmic-like characteristics. In contrast, the bonded p-GaAs/ITO//ITO/n-Si sample showed Schottky-like characteristics. The bonded n-GaN//p-GaAs wafer sample exhibited ohmic-like characteristics with an interface resistance of 2.7 Ωcm2. To our knowledge, this is the first reported instance of a bonded GaN//GaAs wafer with a low electrical resistance. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

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Epitaxial growth of Bi2Se3 layers on InP substrates by hot wall epitaxy

2019-10-21

The a-axis lattice parameter of Bi2Se3 is almost identical to the lattice periodicity of the InP (1 1 1) surface. We consequently obtain remarkably smooth Bi2Se3 (0 0 0 1) layers in hot-wall-epitaxy growth on InP (1 1 1)B substrates. The lattice-matched periodicity is preserved in the [1 1 0] and [] directions of the (0 0 1) surface. The Bi2Se3 layers grown on InP (0 0 1) substrates exhibit 12-fold in-plane symmetry as the [] direction of Bi2Se3 is aligned to either of the two directions. When the (1 1 1)-oriented InP substrates are inclined, the Bi2Se3 (0 0 0 1) layers are found to develop steps having a height of ~50 nm. The tilting of the Bi2Se3 [0 0 0 1] axis with respect to the growth surface is responsible for the creation of the steps. Epitaxial growth is thus evidenced to take place rather than van der Waals growth. We point out its implications on the surface states of topological insulators. Source:IOPscience For more information, please vis...

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Mid-infrared InAs/GaSb strained layer superlattice detectors with nBn design grown on a GaAs substrate

2019-09-29

We report on a type-II InAs/GaSb strained layer superlattice (SLS) photodetector (λ_{\rm cut\hbox{-}off}  ~4.3 µm at 77 K) with nBn design grown on a GaAs substrate using interfacial misfit dislocation arrays to minimize threading dislocations in the active region. At 77 K and 0.1 V of the applied bias, the dark current density was equal to 6 × 10−4 A cm−2 and the maximum specific detectivity D* was estimated to 1.2 × 1011 Jones (at 0 V). At 293 K, the zero-bias D* was found to be ~109 Jones which is comparable to the nBn InAs/GaSb SLS detector grown on the GaSb substrate. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

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Overview of recent direct wafer bonding advances and applications

2019-09-18

Direct wafer bonding processes are being increasingly used to achieve innovative stacking structures. Many of them have already been implemented in industrial applications. This article looks at direct bonding mechanisms, processes developed recently and trends. Homogeneous and heterogeneous bonded structures have been successfully achieved with various materials. Active, insulating or conductive materials have been widely investigated. This article gives an overview of Si and SiO2 direct wafer bonding processes and mechanisms, silicon-on-insulator type bonding, diverse material stacking and the transfer of devices. Direct bonding clearly enables the emergence and development of new applications, such as for microelectronics, microtechnologies, sensors, MEMs, optical devices, biotechnologies and 3D integration. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@g...

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Japanese Journal of Applied Physics logo A Novel Diffusion Resistant P-Base Region Implantation for Accumulation Mode 4H–SiC Epi-Channel Field Effect Transistor

2019-09-11

A novel implantation technique using the carbon (C) and boron (B) sequential implantation is employed to control the B lateral and vertical diffusion from the p-base region of the planar silicon carbide (SiC) epi-channel field effect transistor (ECFET). The current deep level transient spectroscopy measurements were performed to establish the inter-correlation between the B enhanced diffusion and the electrically active defects introduced by the C and B sequential implantation. It was found that the formation of deep defect level is completely suppressed for the same ratio (C:B=10:1) as that for the B diffusion in 4H–SiC. A diffusion mechanism which is correlated to the formation of D center was proposed to account for the experimentally observed B enhanced diffusion. The effectiveness of C and B implantation technique in suppressing the junction field effect transistor (JFET) pinch effect is clearly visible from the 3–4 fold increase in drain current of fabricated 4H–SiC ECFET for p-b...

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Adding a Bit of Artificiality Makes Graphene Real for Electronics

2019-08-28

 We believes that one of the electronic capabilities for this device could be selecting the strength of the spin-orbit coupling in a p-type GaAs quantum well. This could lead to the creation of a topological insulator, which is an insulator on the inside but a conductor on the outside. Such an insulator could in turn enable so-called topological quantum computation, which is a theoretical approach to quantum computing that could be far more robust than current methods. This capability does not exist in natural graphene or other artificial graphene systems. Source:.ieee For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

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Two inch GaN substrates fabricated by the near equilibrium ammonothermal (NEAT) method

2019-08-19

This paper reports two inch gallium nitride (GaN) substrates fabricated from bulk GaN crystals grown in the near equilibrium ammonothermal method. 2'' GaN wafers sliced from bulk GaN crystals have a full width half maximum of the 002 X-ray rocking curve of 50 arcsec or less, a dislocation density of mid-105 cm−2 or less, and an electron density of about 2 × 1019 cm−3. The high electron density is attributed to an oxygen impurity in the crystal. Through extensive surface preparation, the Ga surface of the wafer shows an atomic step structure. Additionally, removal of subsurface damage was confirmed with grazing angle X-ray rocking curve measurements from the 114 diffraction. High-power p–n diode structures were grown with metalorganic chemical vapor deposition. The fabricated devices showed a breakdown voltage of over 1200 V with sufficiently low series resistance. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at s...

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