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pam offre materiali semiconduttori, wafer al germanio monocristallino (ge) cresciuto da vgf / lec

  • Dettagli del prodotto


wafer al germanio monocristallino (ge)


pam offre materiali semiconduttori, ge (germanio) singoli cristalli e wafer cresciuto da vgf / lec

proprietà generali del wafer di germanio


generale  struttura delle proprietà

cubico, a =  5.6754 Å

densità: 5.765  g / cm3

fusione  punto: 937.4 oc

termico  conducibilità: 640

crescita dei cristalli  tecnologia

Czochralski

doping  a disposizione

non drogato

sb doping

drogare in o  ga

tipo conduttivo

/

n

p

resistività, ohm.cm

u0026 Gt; 35

u0026 Lt; 0.05

0,05 - 0,1

EPD

u0026 Lt; 5x10 3 /centimetro 2

u0026 Lt; 5x10 3 /centimetro 2

u0026 Lt; 5x10 3 /centimetro 2

u0026 Lt; 5x10 2 /centimetro 2

u0026 Lt; 5x10 2 /centimetro 2

u0026 Lt; 5x10 2 /centimetro 2

gradi e applicazione del wafer di germanio

voto elettronico

usato per diodi  e transistor,

infrarossi o  grado opico

usato per ir  finestra ottica o dischi, componenti opzionali

grado cellulare

usato per substrati di  celle a energia solare


specifiche standard di cristallo di germanio e wafer

cristallo  orientamento

u0026 Lt; 111 u0026 gt;, u0026 lt; 100 u0026 gt;  e u0026 lt; 110 u0026 gt; ± 0,5 o o orientamento personalizzato

boule di cristallo come  cresciuto

1 "~  6 "diametro x 200 mm di lunghezza

standard bianco  come tagliato

1 "x 0,5 mm

2" x0.6mm

4" x0.7mm

5 "& 6" x0.8mm

standard  wafer lucido (uno / due lati lucido)

1 "x 0,30 mm

2" x0.5mm

4" x0.5mm

5 "& 6" x0.6mm

le dimensioni e l'orientamento speciali sono disponibili su wafer richiesti


specifica del wafer di germanio

articolo

specificazioni

osservazioni

metodo di crescita

VGF

tipo di conduzione

tipo n, tipo p,  non drogato

drogante

gallio o  antimonio

diametro del wafer

2, 3,4 e amp; 6

pollice

cristallo  orientamento

(100), (111), (110)

spessore

200 ~ 550

um

di

ej o noi

vettore  concentrazione

richiesta su  clienti

u0026 EMSP;

resistività a  rt

(0.001 ~ 80)

ohm.cm

etch pit density

u0026 Lt; 5000

/ cm2

marcatura laser

su richiesta

finitura superficiale

p / e o p / p

epi pronto

pacchetto

singolo wafer  contenitore o cassetta

u0026 EMSP;


Ge wafer da 4 pollici  specificazione

per celle solari

u0026 EMSP;

doping

p

u0026 EMSP;

doping  sostanze

ge-ga

u0026 EMSP;

diametro

100 ± 0.25  mm

u0026 EMSP;

orientamento

(100) 9 ° off  verso u0026 lt; 111 u0026 gt; +/- 0,5

off-orientamento  angolo di inclinazione

n / a

u0026 EMSP;

appartamento primario  orientamento

n / a

u0026 EMSP;

appartamento primario  lunghezza

32 ± 1

mm

appartamento secondario  orientamento

n / a

u0026 EMSP;

appartamento secondario  lunghezza

n / a

mm

cc

(0,26-2,24) E18

/c.c

resistività

(0,74-2,81) e-2

ohm.cm

elettrone  mobilità

382-865

cm2 / v.s.

EPD

u0026 Lt; 300

/ cm2

marchio laser

n / a

u0026 EMSP;

spessore

175 ± 10

micron

TTV

u003c 15

micron

tir

n / a

micron

arco

u0026 Lt; 10

micron

ordito

u003c 10

micron

fronte anteriore

lucidato

u0026 EMSP;

faccia posteriore

terra

u0026 EMSP;

processo di wafer al germanio


nel processo di produzione del wafer di germanio, il biossido di germanio proveniente dalla lavorazione dei residui viene ulteriormente purificato in fasi di clorurazione e idrolisi.

1) il germanio di elevata purezza si ottiene durante la raffinazione della zona.


2) un cristallo di germanio viene prodotto tramite il processo czochralski.


3) il wafer di germanio viene prodotto tramite diverse fasi di taglio, molatura e incisione.


4) i wafer vengono puliti e ispezionati. durante questo processo, i wafer sono lucidati su un lato o su un lato doppio lucidati secondo i requisiti personalizzati, viene fornito un wafer pronto per l'uso.


5) i wafer sono confezionati in contenitori di wafer singoli, in atmosfera di azoto.


applicazione:

il bianco di germanio o la finestra sono utilizzati nelle soluzioni di visione notturna e di imaging termografico per la sicurezza commerciale, le attrezzature antincendio e di monitoraggio industriale. inoltre, vengono utilizzati come filtri per apparecchiature analitiche e di misurazione, finestre per la misurazione della temperatura remota e specchi per laser.

substrati di germanio sottili sono utilizzati in celle solari a tripla giunzione iii-v e per sistemi di potenza pv (cpv) concentrati.

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