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xiamen powerway offre insb wafer - indium antimonide che sono cresciuti da lec (czochralski incapsulato liquido) come EPI-ready o grado meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100).

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xiamen powerway offre insb wafer - indium antimonide che sono cresciuti da lec (czochralski incapsulato liquido) come EPI-ready o grado meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100).


l'indio antimonide (insb) è un composto cristallino costituito dagli elementi indio (in) e antimonio (sb). si tratta di un materiale semiconduttore a gap ridotto del gruppo iii-v utilizzato nei rivelatori a infrarossi, incluse termocamere, sistemi flir, sistemi di guida missilistica a raggi infrarossi e nell'astronomia a infrarossi. i rivelatori di antimonio di indio sono sensibili tra le lunghezze d'onda 1-5 μm. l'indio antimonide era un rivelatore molto comune nei vecchi sistemi di imaging termico a scansione singola rilevati meccanicamente. un'altra applicazione è come una fonte di radiazione terahertz in quanto è un forte emettitore di foto-dember.


specifiche di wafer
articolo specificazioni
diametro del wafer 2" 50,5 ± 0,5 millimetri
3" 76,2 ± 0,4 millimetri
4" 1000,0 ± 0,5 millimetri
orientamento cristallino 2" (111) aorb ± 0.1 °
3" (111) aorb ± 0.1 °
4" (111) aorb ± 0.1 °
spessore 2" 625 ± 25um
3 "800or900 ± 25um
4" 25um 1000 ±
lunghezza piatta primaria 2" 16 ± 2mm
3" 22 ± 2mm
4" 32,5 ± 2,5 millimetri
lunghezza piatta secondaria 2" 8 ± 1mm
3" 11 ± 1mm
4" 18 ± 1mm
finitura superficiale p / e, p / p
pacchetto contenitore singolo wafer pronto per epi o vassoio cf


specifiche elettriche e antidoping
tipo di conduzione tipo n tipo n tipo n tipo n tipo p
drogante non drogato tellurio basso tellurio alto tellurio genmanium
e.d.p cm -2 2 "3" 4" 50 2" 100
mobilità cm² v -1 S -1 4 * 105 2.5 * 10 4 2.5 * 105 non specificato 8000-4000
concentrazione portante cm -3 5 * 10 13 -3 * 10 14 ( 1-7 ) * 10 17 4 * 10 14 -2 * 10 15 1 * 10 18 5 * 10 14 -3 * 10 15

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soggetto : wafer di insb

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