forniamo su misura film sottile personalizzato (carburo di silicio) sicità su substrati 6h o 4h per lo sviluppo di dispositivi in carburo di silicio. sic epi wafer viene utilizzato principalmente per diodi schottky, transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo, transistor a effetto di campo a giunzione, transistor a giunzione bipolare, tiristori, gto e gate bipolare isolato.
ep (carburo di silicio) epitassia
forniamo film sottili personalizzati (carburo di silicio) sic epitaxy su substrati 6 o 4 ore per lo sviluppo di dispositivi in carburo di silicio. sic epi wafer viene utilizzato principalmente per diodi schottky, transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo, transistor a effetto di campo a giunzione, transistor a giunzione bipolare, tiristori, gto e gate bipolare isolato.
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elementi |
specificazione |
valore tipico |
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poli-tipo |
4h |
- |
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off-orientamento verso |
4 gradi |
- |
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u0026 lt; 11 2 (_) 0 u0026 gt; |
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conduttività |
tipo n |
- |
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drogante |
azoto |
- |
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vettore concentrazione |
5e15-2e18 cm -3 |
- |
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tolleranza |
± 25% |
± 15% |
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uniformità |
2” (50,8 millimetri) u0026 lt; 10% |
7% |
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3” (76,2 millimetri) u0026 lt; 20% |
10% |
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4 "(100 mm) u0026 lt; 20% |
15% |
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gamma di spessore |
5-15 μm |
- |
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tolleranza |
± 10% |
± 5% |
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uniformità |
2” u0026 lt; 5% |
2% |
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3” u0026 lt; 7% |
3% |
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4” u0026 lt; 10% |
5% |
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grande punto difetti |
2” u0026 lt; 30 |
2” u0026 lt; 15 |
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3” u0026 lt; 60 |
3” u0026 lt; 30 |
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4” u0026 lt; 90 |
4” u0026 lt; 45 |
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difetti epi |
≤ 20 cm -2 |
≤ 10 cm -2 |
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passo in su |
≤2.0nm (rq) |
≤1.0nm (rq) |
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(rugosità) |
gli appunti:
• Esclusione del bordo di 2 mm per 50,8 e 76,2 mm, esclusione del bordo di 3 mm per 100,0 mm
• media di tutti i punti di misurazione per lo spessore e la concentrazione dell'operatore (vedere pagina 5)
• Gli strati di epi di tipo n u0026 lt; 20 micron sono preceduti dallo strato buffer di tipo n, 1e18, 0,5 micron
• non tutte le densità di drogaggio sono disponibili in tutti gli spessori
• uniformità: deviazione standard (σ) / media
• qualsiasi requisito speciale sul parametro epi è su richiesta
metodi di prova
n ° 1. concentrazione di portatore: il doping netto è determinato come valore medio attraverso l'afer utilizzando hg probe cv.
no.2. spessore: lo spessore è determinato come valore medio attraverso il wafer usando ftir.
no.3.grandi a punti grandi: ispezione microscopica eseguita a 100x, su un microscopio ottico olympus o comparabile.
n ° 4. Ispezione dei difetti epi eseguita con analizzatore di superficie ottico kla-tencor candela cs20.
no.5. Raggruppamento graduale: il raggruppamento e la rugosità del gradino sono scanditi da afm (microscopio a forza atomica) su un'area 10μm x10μm
descrizioni di difetti di punti grandi
difetti che mostrano una forma chiara all'occhio non assistito e sono u0026 gt; 50 micron di diametro. queste caratteristiche includono punte, particelle aderenti, schegge e crateri. difetti di punta di grandi dimensioni inferiori a 3 mm di distanza contano come un difetto.
descrizioni di difetti epitassici
d1. Inclusioni 3c
regioni in cui il passaggio del gradino è stato interrotto durante la crescita dello strato Epi. le regioni tipiche sono generalmente triangolari, anche se le forme più arrotondate sono alcune volte. conta una volta per evento. due inclusioni entro 200 micron contano come
d2. code di cometa
le code della cometa hanno una testa discreta e coda finale. queste caratteristiche sono allineate parallelamente al maggiore at. di solito, tutte le code di cometa tendono ad essere della stessa lunghezza. conta una volta per evento. due code di comete entro 200 micron contano come una sola.
d3. carote
simili alle code delle comete in apparenza tranne che sono più angolari e privi di testa adiscreta. se presenti, queste caratteristiche sono allineate parallelamente al maggiore at. di solito, ogni carota presente tende ad essere della stessa lunghezza. contate una volta per volta. due carote entro 200 micron contano come uno.
d4. particelle
le particelle hanno l'aspetto degli occhi e se presenti sono solitamente concentrate sui bordi dei wafer e non all'interno dell'area specificata. se presente, contare una volta per volta. due particelle entro 200 micron contano come uno.
d5. gocce di silicio
le goccioline di silicio possono apparire come piccoli tumuli o depressioni nella superficie del wafer. normalmente assenti, ma se presenti sono in gran parte concentrati al perimetro del wafer. se presente, stimare la% dell'area specificata interessata.
d6. Caduta
particelle aderenti rilasciate durante la crescita di epi.
applicazione di sic epitaxial wafer
correzione del fattore di potenza (pfc)
inverter pv e inverter (alimentatori ininterrotti)
azionamenti del motore
rettifica dell'output
veicoli ibridi o elettrici
il diodo sic schottky con 600v, 650v, 1200v, 1700v, 3300v è disponibile.
pam-xiamen offre wafer in carburo di silicio a semiconduttore, 6h sic e 4h sic in diversi gradi di qualità per ricercatore e produttori industriali. abbiamo sviluppato la tecnologia di crescita del cristallo sic e la tecnologia di trattamento del cristallo sic sic, ha stabilito una linea di produzione per substrato produttore sic, che viene applica6
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