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effetti della morfologia a gradino atomico superficiale ultra-liscio sulle prestazioni di lucidatura meccanica meccanica (cmp) di wafer zaffiro e sic

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effetti della morfologia a gradino atomico superficiale ultra-liscio sulle prestazioni di lucidatura meccanica meccanica (cmp) di wafer zaffiro e sic

2018-01-05

mette in risalto

• Vengono studiati gli effetti della larghezza del gradino atomico sulla rimozione di zaffiri e sic wafer.

• il motivo degli effetti della larghezza del passo sulla rimozione e il modello sono discussi.

• Viene proposto il modello di rimozione di cmp di wafer esagonale per ottenere una superficie perfettamente liscia.

• vengono analizzate le variazioni della morfologia del gradino atomico verso i difetti.

• Viene discusso il meccanismo di formazione dei difetti.

absrtact

verso lo zaffiro e il wafer siciliano, la morfologia del gradino atomico chiaro e regolare potrebbe essere osservata su tutta la superficie via afm. tuttavia, le variazioni delle larghezze degli step atomici e delle direzioni dei passi sono diverse sull'insieme delle diverse superfici dei wafer: quelle su wafer di zaffiro sono uniformi, mentre quelle su wa wafer sono distinte. vengono studiati gli effetti della larghezza del gradino atomico sulla velocità di rimozione. Viene proposto il modello di rimozione del wafer super-duro per realizzare una superficie atomicamente ultra-liscia. le variazioni della morfologia a gradino atomico verso diversi difetti su superficie di wafer zaffiro e sic sono analizzate e viene discusso il meccanismo di formazione.


parole chiave

lucidatura meccanica chimica (cmp); zaffiro; carburo di silicio (sic); passo atomico


fonte: ScienceDirect


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