eterostrutture di alinn / gan con contenuto di indio tra il 20% e il 35% sono state coltivate mediante epitassia di fase di vapore organico metallico su substrati di silicio ad elevata purezza (1 1 1). i campioni sono stati studiati mediante spettroscopia di fotovoltaggio (pv) in cui i singoli strati erano distinti dai loro diversi bordi di assorbimento. le transizioni vicine al bordo banda diGane di si dimostra l'esistenza di regioni di carica spaziale all'interno degli strati di gan e del substrato di si. nella geometria a sandwich il substrato si influisce in modo significativo sugli spettri pv che sono fortemente temprati dall'ulteriore illuminazione laser a 690 nm. la dipendenza dall'intensità e il comportamento di saturazione della tempra suggeriscono una ricarica dei difetti di interfaccia relativi a si e gan che causano un collasso dei corrispondenti segnali pv nella regione di carica spaziale. da ulteriori misure di microscopia a potenziale di superficie di scansione in configurazione smussata, ulteriore prova dell'esistenza di diverse regioni di carica spaziale pressogan / aln / SIe si ottengono interfacce alinn / gan. le proprietà dello strato si / seme / eterostruttura di gan sono discusse in termini di un'interfaccia di tipo gan di tipo si / n di tipo p generati dalla diffusione di si atomi in gan e di ga o alom atomi nel substrato di si. fonte: iopscience per ulteriori informazioni, si prega di visitare il nostro sito:http://www.semiconductorwafers.net, mandaci una email aangel.ye@powerwaywafer.comopowerwaymaterial@gmail.com
il rilevatore di raggi X superconduttori sviluppato da aist, utilizzato per identificare n droganti a bassissima concentrazione in sic (a sinistra) e sc-xafs installati su una linea di fascio di fabbrica di fotoni, kek (a destra) i ricercatori aist hanno sviluppato uno strumento per la spettroscopia a struttura fine (xafs) di assorbimento dei raggi X dotato di un rilevatore superconduttore. con lo strumento, i ricercatori hanno realizzato, per la prima volta, l'analisi della struttura locale dei droganti di azoto (n) (atomi di impurezze a concentrazioni molto basse), che sono stati introdotti dalla piantagione di ioni in carburo di silicio ( sic ), un semiconduttore a gap ampio, e sono necessari affinché sic sia un semiconduttore di tipo n. Si prevede che i dispositivi di potenza a semiconduttore wide-gap, che consentono la riduzione della perdita di potenza, contribuiscano alla soppressione delle emissioni di co2. per produrre dispositivi che utilizzano sic, uno dei tipici materiali semiconduttori wide-gap, l'introduzione di droganti mediante piantagione di ioni è necessaria per il controllo delle proprietà elettriche. gli atomi droganti devono essere localizzati nel particolare sito del reticolo in un cristallo. tuttavia, non c'è stato un metodo di analisi della microstruttura. sc-xafs è stato usato per misurare gli spettri xafs dei droganti n ad una concentrazione molto bassa nel cristallo sic, e il sito di sostituzione degli n-droganti è stato determinato confrontandolo con un calcolo del primo principio. oltre a sic, sc-xafs può essere applicato a semiconduttori wide-gap come il nitruro di gallio ( Gan ) e diamanti, magneti per motori a bassa perdita, dispositivi spintronici, celle solari, ecc. i risultati saranno pubblicati online in rapporti scientifici, una rivista scientifica pubblicata dal gruppo di editoria della natura, il 14 novembre 2012 (ora del Regno Unito). sic ha una banda proibita maggiore di quella dei semiconduttori generali e possiede proprietà eccellenti tra cui stabilità chimica, durezza e resistenza al calore. pertanto, si prevede che sarà un semiconduttore a risparmio energetico di prossima generazione che può funzionare in un ambiente ad alta temperatura. negli ultimi anni sono diventati disponibili grandi substrati in cristallo singolo e dispositivi come diodi e transistor sono comparsi sul mercato; tuttavia, il drogaggio, che è necessario per produrre dispositivi con il semiconduttore, è ancora imperfetto, impedendo a sic di sfruttare appieno le sue proprietà intrinseche di risparmio energetico. caratteristica a raggi x di ossigeno (b) un esempio dirilevamento del n drogante in una concentrazione molto bassa in sic il forte picco dic in abbondanza e il picco debole di n sono distinguibili. nell'inserzionein (b), l'asse verticale è in scala lineare. è chiaro che n esiste in aconcentrazione molto bassa. il doping è un processo in cui una piccola quantità dil'impurità è introdotta (per la sostituzione) in un sito di un r...
riportiamo i nostri risultati su inganas / GaAs laser ad emissione superficiale a cavità verticale (vcsel) nell'intervallo 1,3 μm. le strutture epitassiali sono state coltivate su substrati di Gaas (1 0 0) mediante deposizione chimica in fase di vapore chimico (mocvd) o epitassia a fascio molecolare (mbe). la composizione azotata del Inga (n) come / GaAs la regione attiva di quantum-well (qw) è 0-0.02. l'operazione laser a onda continua a lunga lunghezza d'onda (fino a 1,3 μm) a temperatura ambiente (rt cw) è stata ottenuta per vcsel mbe- e mocvd. per i dispositivi cresciuti con mocvd con riflettori bragg distribuiti con n e p (dbrs), è stata misurata una potenza di uscita ottica massima di 0,74 mw in0,36ga0,64n0.006as0.994 / gaas vcsel. un jth molto basso di 2,55 ka cm-2 è stato ottenuto per gli vaniel inganas / gaas. i dispositivi sviluppati da mbe erano fatti con una struttura intracavitaria. Sono stati raggiunti i valori di multi-modalità 1,3 μm in0,35ga0,65n0.02as0,98 / gaas vcsel con una potenza in uscita di 1 mw in funzionamento rt cw. un jth di 1,52 ka cm-2 è stato ottenuto per mbe-grown in0,35ga0,65n0.02as0.98 / gaas vcsel, che è la densità di soglia più bassa riportata. sono state misurate e analizzate le caratteristiche di emissione degli inganas / gaas vcsel. fonte: iopscience per ulteriori informazioni, si prega di visitare il nostro sito: http://www.semiconductorwafers.net , mandaci una email a angel.ye@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com
abbiamo scoperto un nuovo nitruro di silicio con simmetria cubica formato nel silicio all'interfaccia ta / si del sistema a film sottile tan / ta / si (100) quando il wafer di silicio è stato ricotto a 500 o 600 ° c. il nitruro di silicio cubico crebbe nel cristallo di silicio sotto forma di una piramide inversa dopo il processo di ricottura. i piani di delimitazione della piramide inversa erano i piani del cristallo di silicio. la relazione di orientamento tra il nitruro di silicio e il cristallo di silicio è cubica a cubica. la costante reticolare del nuovo nitruro di silicio è a = 0,5548 nm ed è circa il 2,2% più grande di quella del cristallo di silicio. fonte: iopscience per maggiori informazioni per favore visitail nostro sito web: http://www.semiconductorwafers.net , mandaci una email a angel.ye@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com
credito: esa, cc by-sa 3.0 igo uno specchio forte ma leggero per lo spazio, realizzato da carburo di silicio ceramica, viene sottoposta ai livelli di temperatura e vuoto incontrati in orbita. lo specchio del diametro di 95 cm è composto da tre petali separati fusi insieme prima della levigatura e lucidatura. lo scopo del test, condotto per esa da parte di amos in Belgio, era quello di verificare se la combinazione di giunture inducesse una distorsione ottica quando la temperatura dello specchio veniva portata a -150 ° c. un composto di silicio e carbonio, sic fu sintetizzato per la prima volta nel 1893 nel tentativo di creare diamanti artificiali. il risultato non era poi così lontano: oggi, sic è uno dei materiali più conosciuti, utilizzato per realizzare utensili da taglio, freni ad alte prestazioni e giubbotti antiproiettile. di natura cristallina, è anche usato per i gioielli. piccole quantità di sic sono state dissotterrate all'interno di meteoriti - è relativamente comune nello spazio profondo. la sua natura forte e leggera lo rendeva naturale anche per i progetti spaziali creati dall'uomo. L'esa ha prodotto il più grande specchio sic in assoluto per volare nello spazio per il telescopio herschel, lanciato nel 2009. con un diametro di 3,5 m, questo riflettore aveva due volte l'area di osservazione del telescopio spaziale Hubble pur avendo un terzo della sua massa. una volta padroneggiato da esa, la tecnologia è stata utilizzata per produrre un'ampia varietà di specchi spaziali e supporti ottici, per missioni come gaia, sentinel-2 e il telescopio spaziale james webb. fonte: phys.org per ulteriori informazioni, si prega di visitare il nostro sito: http://www.semiconductorwafers.net , mandaci una email a angel.ye@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com .
xiamen powerway advanced material co., ltd., un fornitore leader di gaas epi wafer e altri prodotti e servizi correlati hanno annunciato che la nuova disponibilità di size 2 \"& 4\" è sulla produzione di massa nel 2010. questo nuovo prodotto rappresenta un naturale completamento della linea di prodotti pam-xiamen. dr. shaka, ha detto, \"siamo lieti di offrire Gaas ha condotto epi wafer ai nostri clienti compresi molti che si stanno sviluppando meglio e più affidabili per led rossi. include la struttura a led algainp con pozzo multi quantico, incluso lo strato dbr per l'industria dei chip a led, la gamma di lunghezze d'onda da 620nm a 780nm di mocvd. in esso, l'algainp viene utilizzato nella produzione di diodi ad emissione luminosa di colore rosso, arancio, verde e giallo ad alta luminosità, per formare l'eterostruttura che emette luce. è anche utilizzato per realizzare laser a diodi. La disponibilità migliora i processi di crescita e wafer di boule. \"e\" i nostri clienti possono ora beneficiare della maggiore resa del dispositivo prevista nello sviluppo di transistor avanzati su un substrato quadrato. la nostra epitassia guidata è naturale per i prodotti dei nostri sforzi in corso, attualmente ci dedichiamo allo sviluppo continuo di prodotti più affidabili. \" pam-xiamen è migliorato struttura a led algainp la linea di prodotti ha beneficiato di una forte tecnologia. supporto da università nativa e centro di laboratorio. ora vi mostriamo le specifiche come segue: p-gap p-AlGaInP MQW-AlGaInP n-AlGaInP dbr n-algaas / ahimè buffer substrato gaas di xiamen powerway advanced material co., ltd trovato nel 1990, xiamen powerway advanced material co., ltd (pam-xiamen) è un produttore leader di materiali semiconduttori composti in Cina. pam-xiamen sviluppa tecnologie avanzate di crescita dei cristalli e di epitassia, processi di produzione, substrati ingegnerizzati e dispositivi a semiconduttore. Le tecnologie di pam-xiamen consentono prestazioni più elevate e una produzione a basso costo di wafer di semiconduttori. riguardo gaas l'arseniuro di gallio viene utilizzato nella fabbricazione di dispositivi come circuiti integrati a microonde, circuiti integrati monolitici a microonde, diodi emettitori di luce a infrarossi, diodi laser, celle solari e finestre ottiche. il gaas viene spesso usato come materiale di substrato per la crescita epitassiale di altri semiconduttori iii-v incluso l'arseniuro di gallio indio, l'arsenuro di gallio di alluminio e altri. alcune proprietà elettroniche dell'arseniuro di gallio sono superiori a quelle del silicio. ha una maggiore velocità di elettroni saturi e una maggiore mobilità degli elettroni, consentendo ai transistor arseniuro di gallio di funzionare a frequenze superiori a 250 ghz. i dispositivi Gaas sono relativamente insensibili al surriscaldamento, a causa del loro più ampio energy bandgap, e tendono anche a creare meno rumore (disturbo in un segnale elettrico) nei circuiti elettronici rispetto ai dispositivi al ...
schema di una struttura alinn / gan dbr a 10 coppie si-drogate per iniezione di corrente verticale e (b) un profilo di drogaggio si-doping in una coppia di strati di alinn / gan. credito: Giappone società di fisica applicata (jsap) ricercatori dell'università di meijo e di Nagoya in Giappone hanno dimostrato un design di Gan laser a superficie verticale con emissione di cavità (vcsel) che forniscono una buona conduttività elettrica ed è facilmente coltivabile. i risultati sono riportati in fisica applicata espressa. questa ricerca è stata pubblicata nel numero di novembre 2016 del bollettino jsap online. \"I laser ad emissione di superficie a cavità verticale basati su gan (vcsel) dovrebbero essere adottati in varie applicazioni, come display per la scansione retinica, fari adattivi e sistemi di comunicazione a luce visibile ad alta velocità\", spiegano tetsuya takeuchi e colleghi a meijo università e università di Nagoya in Giappone nella loro ultima relazione. tuttavia, finora, le strutture progettate per commercializzare questi dispositivi hanno scarse proprietà di conduzione e gli approcci esistenti per migliorare la conduttività introducono complessità di fabbricazione mentre le prestazioni sono inibite. un rapporto di Takeuchi e colleghi ha ora dimostrato un design che fornisce una buona conduzione ed è prontamente cresciuto. I vcsel generalmente usano strutture chiamate riflettori di bragg distribuiti per fornire la necessaria riflettività per una cavità efficace che consente al dispositivo di attenuarsi. questi riflettori sono strati alternati di materiali con diversi indici di rifrazione, che si traducono in una riflettività molto alta. i contatti intracavitari possono aiutare a migliorare la scarsa conduttività di Gan vcsel, ma questi aumentano le dimensioni della cavità portando a un confinamento ottico scadente, a processi di fabbricazione complessi, a densità di corrente con soglia elevata ea una bassa efficienza di potenza in uscita rispetto all'entrata (ossia l'efficienza di pendenza). la bassa conduttività nelle strutture dbr è il risultato di cariche di polarizzazione tra gli strati di materiali diversi - alinn e gan. per superare gli effetti delle cariche di polarizzazione, Takeuchi e colleghi hanno usato nitruri drogati con silicio e introdotto il \"doping di modulazione\" negli strati della struttura. le maggiori concentrazioni di drogante di silicio nelle interfacce aiutano a neutralizzare gli effetti di polarizzazione. I ricercatori dell'università meijo e Nagoya hanno anche ideato un metodo per accelerare il tasso di crescita di alinn a oltre 0,5 μm / h. il risultato è una vcsel basata su gan 1.5λ-cavità con un riflettore bragg distribuito alinn / gan di tipo n che ha un picco di riflettività superiore al 99,9%, corrente di soglia di 2,6 ma, corrispondente a una densità di soglia di 5,2 ka / cm2 e una tensione operativa era 4,7v. fonte: phys.org per ulteriori informazioni, si prega di visitare il nostro sito: http://www.sem...
xiamen powerway advanced material co., ltd., un fornitore leader di substrato semi-isolante di elevata purezza e altri prodotti e servizi correlati hanno annunciato la nuova disponibilità di size 2 \"& 3\" & 4 \"è sulla produzione di massa nel 2017. questo nuovo prodotto rappresenta un naturale aggiunta alla linea di prodotti pam-xiamen. dr. shaka, ha detto, \"siamo lieti di offrire substrato semi-isolante di elevata purezza ai nostri clienti. 4h substrati in carburo di silicio semi-isolante (sic) disponibili nell'orientamento sull'asse. l'esclusiva tecnologia di crescita del cristallo htcvd è la chiave per abilitare prodotti puri che combinano una resistività alta e uniforme con una densità di difetti molto bassa. la disponibilità migliora i processi di crescita e wafer di boule. \"e\" i nostri clienti possono ora beneficiare della maggiore resa del dispositivo prevista nello sviluppo di transistor avanzati su un substrato quadrato. nostro substrato semi-isolante di elevata purezza sono naturali per i prodotti dei nostri sforzi in corso, attualmente siamo impegnati a sviluppare continuamente prodotti più affidabili. \"Offriamo cristalli di alta purezza, semi-isolanti (hpsi) 4h-sic con diametro fino a 100 mm, che viene coltivato dalla semina tecnologia di sublimazione senza l'elemento intenzionale di livello profondo, come i droganti al vanadio, e le fette di wafer da questi cristalli mostrano energie di attivazione omogenee vicino al gap medio e comportamento semi-isolante (si) termicamente stabile (\u0026 gt; 10 ^ 7 ohm-cm) su tutto il dispositivo elaborazione, spettroscopia di massa di ioni secondari, spettroscopia transitoria a livello profondo, spettroscopia di ammettenza ottica e dati di risonanza paramagnetica di elettroni suggeriscono che il comportamento di si proviene da diversi livelli profondi associati a difetti intrinseci del punto.Le densità di micropipe nei substrati hpsi hanno dimostrato di essere basse come valore tipico medio di 0,8 cm-2 in substrati di tre pollici di diametro con ttv = 1,7um (valore mediano), warp = 7,7um (valore mediano) e arco = -4,5um (valore mediano). pam-xiamen è migliorato substrato semi-isolante di elevata purezza la linea di prodotti ha beneficiato di una forte tecnologia, il supporto di università e centri di laboratorio nativi. ora vi mostriamo le specifiche come segue: hpsi, 4h semi-isolante sic, 2 \"specifiche wafer substrato proprietà S4H-51-si-pwam-250 s4h-51-si-pwam-330 s4h-51-si-pwam-430 descrizione a / b grado di produzione c / d livello di ricerca d numero fittizio 4 ore di substrato polytype 4h diametro (50.8 ± 0,38) mm spessore (250 ± 25) μm resistività (Rt) \u0026 Gt; 1E5 Ω · cm superficie rugosità \u0026 Lt; 0,5 nm (si-face cmp epi-ready); \u0026 lt; 1 nm (lucido ottico c-face) FWHM a \u0026 lt; 30 arcsec b / c / d \u0026 lt; 50 arcsec micropipe densità a + ≤1cm-2 a≤10cm-2 b≤30cm-2 c≤50cm-2 d≤100cm-2 superficie orientamento sopra asse ± 0,5 ° via asse 3.5 ° verso ± 0,5 ° pri...
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