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xiamen powerway offre inas wafer - arseniuro di indio cresciuti da lec (czochralski incapsulato liquido) come Epi-ready o grado meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100).

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xiamen powerway offre inas wafer - arseniuro di indio cresciuti da lec (czochralski incapsulato liquido) come Epi-ready o grado meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100).


l'indio arsenide, inas, è un semiconduttore composto da indio e arsenico. ha l'aspetto di cristalli cubici grigi con un punto di fusione di 942 ° c. [2] l'indio arsenide viene utilizzato per la costruzione di rivelatori a infrarossi, per la gamma di lunghezze d'onda di 1-3,8 μm. i rivelatori sono di solito fotodiodi fotovoltaici. i rivelatori criogenicamente raffreddati hanno un rumore più basso, ma i rivelatori possono essere utilizzati anche in applicazioni a maggiore potenza a temperatura ambiente. l'indio arsenide viene anche utilizzato per la produzione di laser a diodi.


l'arsenuro di indio è simile all'arseniuro di gallio ed è un materiale a base di bandgap diretto. l'arseniuro di indio è talvolta usato insieme al fosfuro di indio. in lega con arseniuro di gallio forma arseniuro di indio e gallio - un materiale con band gap dipendente dal rapporto in / ga, un metodo principalmente simile alla lega di nitruro di indio con nitruro di gallio per produrre nitruro di indio e gallio.


specifiche di wafer
articolo specificazioni
diametro del wafer 2" 50,5 ± 0,5 millimetri
3" 76,2 ± 0,4 millimetri
orientamento cristallino (100) ± 0.1 °
spessore 2" 500 ± 25um
3 "625 ± 25um
lunghezza piatta primaria 2" 16 ± 2mm
3" 22 ± 2mm
lunghezza piatta secondaria 2" 8 ± 1mm
3" 11 ± 1mm
finitura superficiale p / e, p / p
pacchetto contenitore singolo wafer pronto per epi o vassoio cf


specifiche elettriche e antidoping
tipo di conduzione tipo n tipo n tipo n tipo p tipo p
drogante non drogato basso tenore di zolfo alto contenuto di zolfo zinco basso zinco alto
e.d.p cm -2 2" 15.000
3"
50.000
mobilità cm² v -1 S -1 23000 25.000-15.000 12000-7000 350-200 250-100
concentrazione portante cm -3 ( 1-3 ) * 10 16 ( 4-8 ) * 10 16 ( 1-3 ) * 10 18 ( 1-3 ) * 10 17 ( 1-3 ) * 1018


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soggetto : inas wafer

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