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  • gan on silicon

    substrato gan indipendente

    pam-xiamen ha stabilito la tecnologia di produzione per wafer di substrato gan indipendente (nitruro di gallio), che è per uhb-led e ld. cresciuto con tecnologia di epitassia a fase di vapore idruro (hvpe), il nostro substrato gan ha una bassa densità di difetti.

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  • blue laser

    modelli di gan

    I prodotti del modello di pam-xiamen sono costituiti da strati cristallini di nitruro di gallio (gan), nitruro di alluminio (aln), nitruro di gallio di alluminio (algan) e nitruro di gallio indio (ingan), che si depositano su substrati di zaffiro, i modelli di carburo di silicio o di silicon.pam-xiamen consentono tempi di ciclo epitassiale più brevi del 20-50% e strati di dispositivi epitassiali di qualità superiore, con migliore qualità strutturale e maggiore conduttività termica, che possono migliorare i dispositivi nel costo, nella resa e nelle prestazioni.

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  • gan expitaxy

    wafer epitassiale a base di gan

    Il wafer epitassiale a base di gan (ossido di gallio) di pam-xiamen è per i diodi a emissione luminosa (LED) e diodi laser (ld) ad altissima luminosità blu e verde.

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  • gan HEMT epitaxy

    gan hemt epitaxial wafer

    i nuclei di nitruro di gallio (gan) (transistori ad alta mobilità elettronica) sono la prossima generazione della tecnologia dei transistor di potenza RF. Grazie alla tecnologia gan, pam-xiamen ora offre wafer algan / gan hemt epi su zaffiro o silicio e algan / gan su modello zaffiro .

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  • sic crystal

    substrato sic

    pam-xiamen offre wafer in carburo di silicio a semiconduttore, 6h sic e 4h sic in diversi gradi di qualità per ricercatore e produttori industriali. abbiamo sviluppato la tecnologia di crescita del cristallo sic e la tecnologia di trattamento del cristallo sic sic, ha stabilito una linea di produzione per substrato produttore sic, che viene applicato nel dispositivo gan epitaxy, dispositivi di alimentazione, dispositivo ad alta temperatura e dispositivi optoelettronici. come azienda professionale investita dai principali produttori dei settori avanzati e ricerca materiale high-tech e istituti statali e laboratorio di semiconduttori della Cina, ci dedichiamo continuamente migliorare la qualità dei substrati attuali e sviluppare substrati di grandi dimensioni.

    hot tag : 4h sic 6h sic sic wafer wafer di carburo di silicio substrato di carburo di silicio prezzo sic wafer

  • sic crystal

    sic epitaxy

    forniamo su misura film sottile personalizzato (carburo di silicio) sicità su substrati 6h o 4h per lo sviluppo di dispositivi in ​​carburo di silicio. sic epi wafer viene utilizzato principalmente per diodi schottky, transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo, transistor a effetto di campo a giunzione, transistor a giunzione bipolare, tiristori, gto e gate bipolare isolato.

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  • sic wafer

    applicazione sic

    A causa delle sue proprietà fisiche ed elettroniche, il dispositivo a base di carburo di silicio è adatto per dispositivi elettronici optoelettronici, ad alta temperatura, resistenti alle radiazioni e ad alta potenza / alta frequenza, a confronto con dispositivi basati su si e gaas.

    hot tag : applicazione sic chip di wafer incisione su wafer proprietà del carburo di silicio mosfet al carburo di silicio

  • GaAs crystal

    wafer di gaas (arseniuro di gallio)

    pwam sviluppa e produce substrati semiconduttori composti: cristallo di arseniuro di gallio e wafer. Abbiamo utilizzato tecnologie avanzate per la crescita dei cristalli, il congelamento con gradiente verticale (vgf) e il gaas wafer, stabilito una linea di produzione dalla crescita dei cristalli, taglio, molatura alla lavorazione della lucidatura e costruzione una camera pulita di 100 classi per la pulizia e l'imballaggio dei wafer. il nostro gaas wafer include lingotti / wafer da 2 ~ 6 pollici per applicazioni led, ld e microelettronica. Siamo sempre dedicati a migliorare la qualità dei sottostati attuali e sviluppare substrati di grandi dimensioni.

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  • GaAs crystal

    gaas epiwafer

    Stiamo fabbricando vari tipi di materiali semiconduttori di tipo n drogati al silicio e-iii epi wafer basati su ga, al, in, as e p sviluppati da mbe o mocvd. forniamo strutture personalizzate per soddisfare le specifiche del cliente. vi preghiamo di contattarci per ulteriori informazioni.

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  • InP substrate

    wafer inp

    xiamen powerway offre inp wafer - indio fosfuro cresciuti con lec (liquido incapsulato czochralski) o vgf (congelamento gradiente verticale) come Epi-ready o grado meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o ( 100).

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  • InAs substrate

    inas wafer

    xiamen powerway offre inas wafer - arseniuro di indio cresciuti da lec (czochralski incapsulato liquido) come Epi-ready o grado meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100).

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