eventuali corpi estranei sulla superficie in aree localizzate che si rivelano sotto l'illuminazione ad alta intensità (o diffusa) come aspetto scolorito, maculato o torbido risultante da macchie, macchie o macchie d'acqua.
una frattura o una rottura del wafer che si estende dalla superficie frontside del wafer alla superficie posteriore del wafer. le fessure devono superare la lunghezza di 0.010 "sotto l'illuminazione ad alta intensità al fine di discriminare le linee di frattura da striature cristalline consentite. le linee di frattura mostrano tipicamente linee sottili e sottili di propagazione, che le discriminano dalle striature del materiale.
eventuali anomalie ai bordi (compresi i segni di uscita delle seghe wafer) superiori a 1,0 mm in profondità o larghezza radiale. come visto sotto illuminazione diffusa, i trucioli di bordo vengono determinati come materiale mancante involontariamente dal bordo del wafer.
l'anello esterno del wafer è designato come area di manipolazione dei wafer ed è escluso dai criteri surfacenici di superficie (come graffi, buche, foschia, contaminazione, crateri, fossette, scanalature, tumuli, scorza d'arancia e seghe). questo anello è di 2 mm per substrati da 76,2 mm e 3 mm per substrati da 100,0 mm.
piastrine esagonali sulla superficie del wafer che appaiono di colore argento ad occhio nudo, sotto illuminazione diffusa.
indicato anche come \"tumulo\" quando un difetto impedisce il rilevamento di un altro difetto, il difetto non rilevato viene chiamato difetto mascherato. una distinta area rialzata sopra la superficie frontale del wafer vista con illuminazione diffusa.
irruvidimento superficiale visivamente rilevabile se visto sotto illuminazione diffusa.
anomalie superficiali distinguibili individuali, che appare come una depressione nella superficie del wafer con un rapporto lunghezza-larghezza inferiore a 5 a 1 e visibile sotto un'illuminazione ad alta intensità.
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