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algainp epi wafer

2017-08-01

algainp viene utilizzato nella produzione di diodi a emissione luminosa di colore rosso, arancio, verde e giallo ad alta luminosità, per formare l'eterostruttura che emette luce. è anche usato per fare laser a diodi.


Lo strato di algainp viene spesso coltivato mediante eteroepitassia su arseniuro di gallio o fosfuro di gallio allo scopo di formare una struttura di pozzo quantico.



specifiche di wafer algainp su chip


wafer algainp led per chip

articolo no.:pam-cayg1101


dimensioni:

tecnica di crescita - mocvd

materiale di substrato: arseniuro di gallio

conduzione del substrato: n tipo

Diametro: 2\"


● dimensioni del chip:

1) dimensione del chip: dimensione frontale: 8mil (± 1mil) × 8mil (± 1mil)

lato posteriore: 9mil (± 1mil) × 9mil (± 1mil)

2) spessore del truciolo: 7mil (± 1mil)

3) dimensione del pad: 4mil (± 0.5mil)

4) struttura: vedi 1-1


● proprietà fotoelettriche

parametro

condizione

min.

tip.

max.

unità

tensione diretta ( VF1 )

if = 10μa

1.35

v

tensione diretta ( VF2 )

if = 20mA

2.2

v

Tensione inversa ( lr )

vr = 10v

2

uA

dominante  lunghezza d'onda ( λ d)

if = 20mA

565

575

nm

FWHM ( Δλ )

if = 20mA

10

nm


● intensità luminosa:

codice

lc

ld

Le

lf

lg

LH

Li

iv (mcd)

20-30

25-35

30-35

35-50

40-60

50-70

60-80


band gap di algainp teso sul substrato gaas


in questo tutorial vogliamo studiare le lacune di banda di alxgayin1-x-yp su un substrato di Gaas.

i parametri del materiale sono presi da

parametri di banda per semiconduttori composti iii-v e loro leghe

io. vurgaftman, j.r. meyer, l.r. ram-mohan

j. appl. Phys. 89 (11), 5815 (2001)


per capire l'effetto dello sforzo sulla banda proibita sui singoli componenti di questo quaternario, esaminiamo prima gli effetti su

1) alp

teso  tensilely

riguardo a  GaAs

2) gap

teso  tensilely

riguardo a  GaAs

3) inp

teso  compressivo

riguardo a  GaAs

4) al X ga 1-x p

teso  tensilely

riguardo a  GaAs

5) ga X in 1-x p

teso

riguardo a  GaAs

6) al X in 1-x p

teso

riguardo a  GaAs

7) al 0.4 ga 0.6 p

teso  tensilely

riguardo a  GaAs

8) ga 0.4 in 0.6 p

teso  compressivo

riguardo a  GaAs

9) al 0.4 in 0.6 p

teso  compressivo

riguardo a  GaAs


ogni strato di materiale ha una lunghezza di 10 nm nella simulazione.

gli strati di materiale 4), 5) e 6) variano linearmente il contenuto della sua lega:


4) al X ga 1-x p  da 10 nm a 20 nm da x = 0,0 a x = 1,0

5) ga X in 1-x p    da 30 nm a 40 nm da x = 0,0 a x = 1,0

6) al X in 1-x p  da 50 nm a 60 nm da x = 1,0 a x = 0,0


indice di rifrazione di algainp


fonte: pam-xiamen


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