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gaas / algaas / gaas epi wafer

2017-07-29

possiamo offrire 2 \"gaas / algaas / gaas epi wafer, vedere sotto la struttura tipica:


s.no

parametri

specificazioni

1

substrato gaas  spessore dello strato

500μm

2

strato  spessore

2μm

3

strato superiore di Gaas  spessore

220 nm

4

frazione molare di  al (x)

0.7

5

livello di doping

intrinseco


fonte: semiconductorwafers.net


per ulteriori informazioni, si prega di visitare il nostro sito: http://www.semiconductorwafers.net ,

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