xiamen powerway advanced material co., ltd., un fornitore leader di gaas epi wafer e altri prodotti e servizi correlati hanno annunciato che la nuova disponibilità di size 2 \"& 4\" è sulla produzione di massa nel 2010. questo nuovo prodotto rappresenta un naturale completamento della linea di prodotti pam-xiamen.

dr. shaka, ha detto, \"siamo lieti di offrire Gaas ha condotto epi wafer ai nostri clienti compresi molti che si stanno sviluppando meglio e più affidabili per led rossi. include la struttura a led algainp con pozzo multi quantico, incluso lo strato dbr per l'industria dei chip a led, la gamma di lunghezze d'onda da 620nm a 780nm di mocvd. in esso, l'algainp viene utilizzato nella produzione di diodi ad emissione luminosa di colore rosso, arancio, verde e giallo ad alta luminosità, per formare l'eterostruttura che emette luce. è anche utilizzato per realizzare laser a diodi. La disponibilità migliora i processi di crescita e wafer di boule. \"e\" i nostri clienti possono ora beneficiare della maggiore resa del dispositivo prevista nello sviluppo di transistor avanzati su un substrato quadrato. la nostra epitassia guidata è naturale per i prodotti dei nostri sforzi in corso, attualmente ci dedichiamo allo sviluppo continuo di prodotti più affidabili. \"

pam-xiamen è migliorato struttura a led algainp la linea di prodotti ha beneficiato di una forte tecnologia. supporto da università nativa e centro di laboratorio.

ora vi mostriamo le specifiche come segue:

p-gap

p-AlGaInP

MQW-AlGaInP

n-AlGaInP

dbr n-algaas / ahimè

buffer

substrato gaas

di xiamen powerway advanced material co., ltd

trovato nel 1990, xiamen powerway advanced material co., ltd (pam-xiamen) è un produttore leader di materiali semiconduttori composti in Cina. pam-xiamen sviluppa tecnologie avanzate di crescita dei cristalli e di epitassia, processi di produzione, substrati ingegnerizzati e dispositivi a semiconduttore. Le tecnologie di pam-xiamen consentono prestazioni più elevate e una produzione a basso costo di wafer di semiconduttori.

riguardo gaas

l'arseniuro di gallio viene utilizzato nella fabbricazione di dispositivi come circuiti integrati a microonde, circuiti integrati monolitici a microonde, diodi emettitori di luce a infrarossi, diodi laser, celle solari e finestre ottiche.

il gaas viene spesso usato come materiale di substrato per la crescita epitassiale di altri semiconduttori iii-v incluso l'arseniuro di gallio indio, l'arsenuro di gallio di alluminio e altri.

alcune proprietà elettroniche dell'arseniuro di gallio sono superiori a quelle del silicio. ha una maggiore velocità di elettroni saturi e una maggiore mobilità degli elettroni, consentendo ai transistor arseniuro di gallio di funzionare a frequenze superiori a 250 ghz. i dispositivi Gaas sono relativamente insensibili al surriscaldamento, a causa del loro più ampio energy bandgap, e tendono anche a creare meno rumore (disturbo in un segnale elettrico) nei circuiti elettronici rispetto ai dispositivi al silicio, specialmente alle alte frequenze. questo è il risultato di una maggiore mobilità del portatore e di parassiti del dispositivo resistivo inferiore. queste proprietà superiori sono motivi convincenti per utilizzare circuiti Gaas nei telefoni cellulari, comunicazioni satellitari, collegamenti punto-punto a microonde e sistemi radar ad alta frequenza. viene anche utilizzato nella produzione di diodi gunn per la generazione di microonde.

un altro vantaggio di Gaas è che ha un band gap diretto, il che significa che può essere usato per assorbire ed emettere luce in modo efficiente. il silicio ha una banda proibita indiretta e quindi è relativamente povero nell'emettere luce.

come un ampio materiale di band gap diretto con conseguente resistenza ai danni da radiazioni, il gaas è un materiale eccellente per l'elettronica dello spazio esterno e le finestre ottiche in applicazioni ad alta potenza.

a causa della sua ampia banda proibita, il puro gaas è altamente resistivo. combinato con un'elevata costante dielettrica, questa proprietà rende gaas un ottimo substrato per circuiti integrati e, diversamente da si, fornisce un isolamento naturale tra dispositivi e circuiti. questo lo ha reso un materiale ideale per circuiti integrati monolitici a microonde, mmics, in cui componenti passivi attivi ed essenziali possono essere prontamente prodotti su una singola fetta di gaas.

q & un

q: sto cercando epiwafer a led rossi. fornisci tali prodotti?

se sì, quale lunghezza d'onda, dimensione del wafer?

a: siete i benvenuti, il vostro centro ci ha mai ordinato, e anche noi abbiamo ricevuto

centinaia di ordini da università nel mondo ogni anno,

e ora per favore vedi sotto: 4/2 \"epi-wafer led rosso 620 +/- 5nm

q: riguardo alla lunghezza d'onda qual è l'intervallo disponibile.

infine, qual è il materiale del susbtrate? hai qualche scheda tecnica.

Grazie in anticipo

a: è 2 \"dimensioni, lunghezza d'onda: 620 +/- 5nm. il materiale del substrato è gaas.

p-gap

p-AlGaInP

MQW-AlGaInP

n-AlGaInP

dbr n-algaas / ahimè

buffer

substrato gaas

q: ho una domanda, capisco che 620 nm è l'unica lunghezza d'onda disponibile?

a: 620nm è disponibile, sono disponibili anche 445-475nm e 510-530nm

parole chiave: gaas epi wafer, led rossi, algainp, alghe, ahimè,

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per ulteriori informazioni, si prega di visitare il nostro sito: http://www.semiconductorwafers.net ,

mandaci una email a angel.ye@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com