inas / ingaas le strutture laser del pozzo quantico sono state coltivate inp buffer metamorfici in0.8al0.2as basati su epitassia da fasci molecolari di gas source. sono stati caratterizzati gli effetti di strati barriera e guida d'onda sulle qualità del materiale e le prestazioni del dispositivo. Le misure di diffrazione dei raggi X e di fotoluminescenza dimostrano i benefici della compensazione della deformazione nella regione del pozzo quantico attivo sulla qualità del materiale. le caratteristiche del dispositivo dei laser con diversi strati di guide d'onda rivelano che l'eterostruttura separata del confinamento svolge un ruolo cruciale sulle prestazioni del dispositivo di questi laser metamorfici. In queste sono state ottenute emissioni di tipo i nella gamma di 2-3 μm inp strutture metamorfiche prive di antimonio. combinando i pozzi quantici con compensazione della deformazione e le eterostrutture di confinamento separate, le prestazioni del laser sono state migliorate e sono state raggiunte emissioni laser fino a 2,7 μm.

fonte: iopscience

per maggiori informazioni per favore visita il nostro sito web:http://www.semiconductorwafers.net ,

mandaci una email aangel.ye@powerwaywafer.com opowerwaymaterial@gmail.com