un interruttore a microelettromeccanico a doppia attuazione (mems) con alto isolamento e funzionamento a bassa tensione per applicazioni RF e microonde. la tensione di funzionamento della struttura dell'interruttore mems verticale a doppia attivazione suggerita è stata ridotta senza diminuire l'attuazione divario . teoricamente, la tensione di funzionamento della struttura suggerita è inferiore di circa il 29% rispetto a quella di un interruttore verticale di mems a singola attuazione con lo stesso metodo di fabbricazione, area dell'elettrodo e uguale spazio di contatto.

lo switch rf mems proposto è stato fabbricato mediante microlavorazione superficiale con sette maschere fotografiche su un wafer al quarzo. per ottenere la planarizzazione e la struttura simile a una scala, uno strato sacrificale di poliimmide è stato spinato, indurito e inciso in due fasi e modellato da una fase di attacco chimico che definisce il meccanismo di doppia attuazione. i risultati misurati del commutatore rf mems dimostrano che la perdita di inserzione era inferiore a 0,11 db per lo stato 20 v, l'isolamento era superiore a 39,1 db per lo stato off e la perdita di ritorno era migliore di 32,1 db per il 20 v in stato da dc a 6 ghz. la tensione di pull-in minima dell'interruttore di mems rf fabbricato era 10 v.

fonte: iopscience

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