gaas wafer substrato - arseniuro di gallio
quantità
Materiale
orientamento.
diametro
spessore
polacco
resistività
genere drogante
nc
mobilità
EPD
pezzi
(Mm)
(Um)
Ω · cm
\u0026 EMSP;
a / cm3
cm2 / vs
/ cm2
1-100
GaAs
usd -100,00
usd 25,40
4000 ± 50
dsp
\u0026 Gt; 1E7
non drogato
n / a
n / a
\u0026 Lt; 1E5
1-100
GaAs
usd -100,00
usd 50,70
350-370
ssp
\u0026 Gt; 1E7
non drogato
n / a
\u0026 Gt; 3500
\u0026 Lt; 10000
1-100
GaAs
(100) 2 ° ± 0.50 fuori per (011)
usd 50,70
350 ± 10
ssp
(0,8-9) e -3
n / SI
(8) e17
2000-3000
\u0026 Lt; 5000
1-100
GaAs
(100) 6 ° ± 0.50 fuori per (011)
usd 50,70
350 ± 20
ssp
(0,8-9) × 10 -3
n / SI
(0,2-4) E18
≥1000
≤5000
1-100
GaAs
usd -100,00
usd 50.80
usd 350,00
ssp
n / a
p / Zn
(1-5) E19
n / a
\u0026 Lt; 5000
1-100
GaAs
usd -100,00
usd 50.80
5000 ± 50
ssp
\u0026 Gt; 1e8
non drogato
n / a
n / a
n / a
1-100
GaAs
usd -100,00
usd 50.80
4000 ± 50
ssp
\u0026 Gt; 1E7
non drogato
n / a
n / a
n / a
1-100
GaAs
usd -100,00
usd 50.80
8000 ± 10
come tagliato
\u0026 Gt; 1E7
non drogato
n / a
n / a
n / a
1-100
GaAs
usd -100,00
usd 50.80
8000 ± 10
dsp
\u0026 Gt; 1E7
non drogato
n / a
n / a
n / a
1-100
GaAs
(100) 2 °
usd 50.80
usd 3.000,00
ssp
\u0026 Gt; 1E7
n / SI
n / a
n / a
n / a
1-100
GaAs
usd -100,00
usd 50.80
350 ± 25
ssp
\u0026 Gt; 1E7
n / a
(1-5) E19
n / a
n / a
1-100
GaAs
usd -100,00
usd 50.80
350 ± 25
ssp
n / a
n / a
(0,4-3,5) E18
≥1400
≤100
1-100
GaAs
(100) 0 ° o 2 °
usd 76,20
130 ± 20
dsp
n / a
non drogato
n / a
n / a
\u0026 Lt; 10000
1-100
GaAs
(100) 2 ° ± 0.50
usd 76,20
350 ± 25
ssp
n / a
n / SI
(0,4-2,5) E18
n / a
≤5000
1-100
GaAs
usd -100,00
usd 76,20
350 ± 25
ssp
n / a
n / a
n / a
n / a
n / a
1-100
GaAs
usd -100,00
usd 76,20
350 ± 25
ssp
\u0026 Gt; 1E7
non drogato
n / a
n / a
≤ 8e4 o 1e4
1-100
GaAs
usd -100,00
usd 76,20
625 ± 25
dsp
\u0026 Gt; 1E7
non drogato
n / a
≥4500
≤ 8e4 o 1e4
1-100
GaAs
(100) 2 ° ± 0,10 off verso (110)
usd 76,20
usd 500,00
ssp
\u0026 Gt; 1E7
non drogato
n / a
n / a
n / a
1-100
GaAs
(100) 2 °
usd 100,00
usd 625,00
dsp
\u0026 Gt; 1E7
non drogato
n / a
n / a
n / a
1-100
GaAs
(100) 2 °
usd 100,00
625 ± 25
dsp
n / a
n / a
n / a
n / a
n / a
1-100
GaAs
(100) 2 ° ± 0.50 fuori per (011)
usd 100,00
350 ± 25
ssp
n / a
n / SI
(0,4-3,5) E18
n / a
≤5000
1-100
GaAs
(100) 2 ° ± 0,10 off verso (110)
usd 100,00
625 ± 25
dsp
(1-4) E18
non drogato
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