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lista di carburo di silicio

2017-12-22

lista di carburo di silicio

4 \"4h di carburo di silicio
oggetto numero. genere Orientati sopra thickne ss grado micropipe d ensità su rfaccia utilizzabile la zona
\u0026 EMSP; tipo n
S4H-100-n-SIC-350-a 4 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 350 ± 25um un \u0026 Lt; 10 / cm2 p / p \u0026 Gt; 90%
S4H-100-n-sic-350-b 4 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 350 ± 25um B \u0026 Lt; 30 / cm2 p / p \u0026 Gt; 85%
S4H-100-n-SIC-350-d 4 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 350 ± 25um d \u0026 Lt; 100 / cm2 p / p \u0026 Gt; 75%
S4H-100-n-sic-370-l 4 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 370 ± 25um d * l / l \u0026 Gt; 75%
S4H-100-n-sic-440-ac 4 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 440 ± 25um d * come taglio \u0026 Gt; 75%
S4H-100-n-sic-c0510-ac-d 4 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 5 ~ 10mm d \u0026 Lt; 100 / cm2 come taglio *
S4H-100-n-sic-c1015-ac-c 4 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 5 ~ 10mm c \u0026 Lt; 50 / cm2 come taglio *
3 \"4h di carburo di silicio
oggetto numero. genere Orie ntazione thickne ss grad e micropipe densità surfac e Stati Uniti d'America area
\u0026 EMSP; tipo n
S4H-76-n-sic-350-a 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 350 ± 25um un \u0026 Lt; 10 / cm2 p / p \u0026 Gt; 90%
S4H-76-n-sic-350-b 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 350 ± 25um B \u0026 Lt; 30 / cm2 p / p \u0026 Gt; 85%
S4H-76-n-sic-350-d 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 350 ± 25um d \u0026 Lt; 100 / cm2 p / p \u0026 Gt; 75%
S4H-76-n-sic-370-l 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 370 ± 25um d * l / l \u0026 Gt; 75%
S4H-76-n-sic-410-ac 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 410 ± 25um d * come taglio \u0026 Gt; 75%
S4H-76-n-sic-c0510-ac-d 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 5 ~ 10mm d \u0026 Lt; 100 / cm2 come taglio *
S4H-76-n-sic-c1015-ac-d 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 10 ~ 15 millimetri d \u0026 Lt; 100 / cm2 come taglio *
S4H-76-n-sic-c0510-ac-c 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 5 ~ 10mm c \u0026 Lt; 50 / cm2 come taglio *
S4H-76-n-sic-c1015-ac-c 3 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 10 ~ 15 millimetri c \u0026 Lt; 50 / cm2 come taglio *
\u0026 EMSP; semi-isolante
S4H-76-si-sic-350-a 3 \"4h-si 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 350 ± 25um un \u0026 Lt; 10 / cm2 p / p \u0026 Gt; 90%
S4H-76-si-sic-350-b 3 \"4h-si 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 350 ± 25um B \u0026 Lt; 30 / cm2 p / p \u0026 Gt; 85%
S4H-76-si-sic-350-d 3 \"4h-si 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 350 ± 25um d \u0026 Lt; 100 / cm2 p / p \u0026 Gt; 75%
2 \"4h di carburo di silicio
oggetto numero. genere Orienta zione sp ess grad e microP densità di ipe Surf asso usabl e area
\u0026 EMSP; tipo n
S4H-51-n-sic-330-a 2 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 330 ± 25um un \u0026 Lt; 10 / cm2 c / p \u0026 Gt; 90%
S4H-51-n-sic-330-b 2 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 330 ± 25um B \u0026 Lt; 30 / cm2 c / p \u0026 Gt; 85%
S4H-51-n-sic-330-d 2 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 330 ± 25um d \u0026 Lt; 100 / cm2 c / p \u0026 Gt; 75%
S4H-51-n-sic-370-l 2 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 370 ± 25um d * l / l \u0026 Gt; 75%
S4H-51-n-sic-410-ac 2 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 410 ± 25um d * come taglio \u0026 Gt; 75%
S4H-51-n-sic-c0510-ac-d 2 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 5 ~ 10mm d \u0026 Lt; 100 / cm2 come taglio *
S4H-51-n-sic-c1015-ac-d 2 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 10 ~ 15 millimetri d \u0026 Lt; 100 / cm2 come taglio *
S4H-51-n-sic-c0510-ac-c 2 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 5 ~ 10mm c \u0026 Lt; 50 / cm2 come taglio *
S4H-51-n-sic-c1015-ac-c 2 \"4h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 10 ~ 15 millimetri c \u0026 Lt; 50 / cm2 come taglio *
2 \"6h di carburo di silicio
oggetto numero. genere Orie ntazione thicknes S gra de micr densità opaca surfa ce Usab l'area
\u0026 EMSP; tipo n
S6H-51-n-sic-330-a 2 \"6h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 330 ± 25um un \u0026 Lt; 10 / cm2 c / p \u0026 Gt; 90%
S6H-51-n-sic-330-b 2 \"6h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 330 ± 25um B \u0026 Lt; 30 / cm2 c / p \u0026 Gt; 85%
S6H-51-n-sic-330-d 2 \"6h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 330 ± 25um d \u0026 Lt; 100 / cm2 c / p \u0026 Gt; 75%
S6H-51-n-sic-370-l 2 \"6h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 370 ± 25um d * l / l \u0026 Gt; 75%
S6H-51-n-sic-410-ac 2 \"6h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 410 ± 25um d * come taglio \u0026 Gt; 75%
S6H-51-n-sic-c0510-ac-d 2 \"6h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 5 ~ 10mm d \u0026 Lt; 100 / cm2 come taglio *
S6H-51-n-sic-c1015-ac-d 2 \"6h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 10 ~ 15 millimetri d \u0026 Lt; 100 / cm2 come taglio *
S6H-51-n-sic-c0510-ac-c 2 \"6h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 5 ~ 10mm c \u0026 Lt; 50 / cm2 come taglio *
S6H-51-n-sic-c1015-ac-c 2 \"6h-n 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 10 ~ 15 millimetri c \u0026 Lt; 50 / cm2 come taglio *
\u0026 EMSP; semi-isolantewww.semiconductorwafers.net
S6H-51-si-sic-330-a 2 \"6h-si 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 330 ± 25um un \u0026 Lt; 10 / cm2 c / p \u0026 Gt; 90%
S6H-51-si-sic-330-b 2 \"6h-si 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 330 ± 25um B \u0026 Lt; 30 / cm2 c / p \u0026 Gt; 85%
S6H-51-si-sic-330-d 2 \"6h-si 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 330 ± 25um d \u0026 Lt; 100 / cm2 c / p \u0026 Gt; 75%
S6H-51-si-sic-370-l 2 \"6h-si 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 370 ± 25um d * l / l \u0026 Gt; 75%
S6H-51-si-sic-410-ac 2 \"6h-si 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 410 ± 25um d * come taglio \u0026 Gt; 75%
S6H-51-si-sic-c0510-ac-d 2 \"6h-si 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 5 ~ 10mm d \u0026 Lt; 100 / cm2 come taglio *
S6H-51-si-sic-c1015-ac-d 2 \"6h-si 0 ° / 4 ° ± 0.5 ° 10 ~ 15 millimetri d \u0026 Lt; 100 / cm2 come taglio *

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