pam-xiamen offre wafer in carburo di silicio a semiconduttore, 6h sic e 4h sic in diversi gradi di qualità per ricercatore e produttori industriali. abbiamo sviluppato la tecnologia di crescita del cristallo sic e la tecnologia di trattamento del cristallo sic sic, ha stabilito una linea di produzione per substrato produttore sic, che viene applicato nel dispositivo gan epitaxy, dispositivi di alimentazione, dispositivo ad alta temperatura e dispositivi optoelettronici. come azienda professionale investita dai principali produttori dei settori avanzati e ricerca materiale high-tech e istituti statali e laboratorio di semiconduttori della Cina, ci dedichiamo continuamente migliorare la qualità dei substrati attuali e sviluppare substrati di grandi dimensioni.
moq :
1
wafer di carburo di silicio
pam-xiamen offre semiconduttori wafer di carburo di silicio , 6h sic e 4h sic in diversi gradi di qualità per ricercatori e produttori del settore. abbiamo sviluppato la tecnologia di crescita del cristallo sic e la tecnologia di trattamento del cristallo sic sic, stabilito una linea di produzione per substrato produttore sic, che viene applicato in dispositivi epitassiali, dispositivi di alimentazione, dispositivi ad alta temperatura e dispositivi optoelettronici. come azienda professionale investita dai principali produttori nei settori della ricerca di materiali avanzati e high-tech e degli istituti statali e del laboratorio di semiconduttori della Cina, ci dedichiamo a migliorare continuamente la qualità dei sottostati attuali e sviluppare substrati di grandi dimensioni.
qui mostra le specifiche di dettaglio:
proprietà del materiale carburo di silicio
|
polytype |
cristallo singolo 4h |
cristallo singolo 6h |
|
reticolo parametri |
a = 3.076 Å |
a = 3.073 Å |
|
u0026 EMSP; |
c = 10.053 Å |
c = 15,117 Å |
|
impilamento sequenza |
abcb |
abcacb |
|
band-gap |
3.26 ev |
3.03 ev |
|
densità |
3,21 · 10 3 kg / m 3 |
3,21 · 10 3 kg / m3 |
|
Therm. espansione coefficiente |
4-5 × 10 -6 /K |
4-5 × 10 -6 /K |
|
indice di rifrazione |
no = 2.719 |
no = 2,770 |
|
u0026 EMSP; |
ne = 2,777 |
ne = 2.755 |
|
dielettrico costante |
9.6 |
9.66 |
|
termico conduttività |
490 w / mk |
490 w / mk |
|
abbattersi campo elettrico |
2-4 · 10 8 v / m |
2-4 · 10 8 v / m |
|
deriva di saturazione velocità |
2.0 · 10 5 Signorina |
2.0 · 10 5 Signorina |
|
elettrone mobilità |
800 cm 2 / v · s |
400 cm 2 / v · s |
|
mobilità del buco |
115 cm 2 / v · s |
90 cm 2 / v · s |
|
mohs durezza |
~ 9 |
~ 9 |
6h n-type sic, 2 "specifiche wafer
|
substrato proprietà |
S6H-51-n-pwam-250 s6h-51-n-pwam-330 s6h-51-n-pwam-430 |
|
descrizione |
produzione a / b manichino di grado c / d di ricerca substrato di grado 6h sic |
|
polytype |
6h |
|
diametro |
(50,8 ± 0,38) mm |
|
spessore |
(250 ± 25) μm (330 ± 25) μm (430 ± 25) μm |
|
tipo di vettore |
tipo n |
|
drogante |
azoto |
|
resistività (rt) |
0,02 ~ 0,1 Ω · cm |
|
superficie rugosità |
u0026 Lt; 0,5 nm (si-face cmp epi-ready); u0026 lt; 1 nm (lucido ottico c-face) |
|
FWHM |
un u0026 lt; 30 arcsec b / c / d u0026 lt; 50 secondi d'arco |
|
micropipe densità |
a + ≤1cm -2 a≤10cm-2 b≤30cm-2 c≤50cm-2 d≤100cm-2 |
|
superficie orientamento |
|
|
in asse |
u0026 Lt; 0001 u0026 gt; ± 0,5 ° |
|
fuori asse |
3,5 ° verso u0026 lt; 11-20 u0026 gt; ± 0,5 ° |
|
appartamento primario orientamento |
parallelo {1-100} ± 5 ° |
|
appartamento primario lunghezza |
16,00 ± 1,70 mm |
|
appartamento secondario orientamento |
si-face: 90 ° cw. a partire dal orientamento piatto ± 5 ° |
|
c-face: 90 ° ccw. dall'orientamento piatto ± 5 ° |
|
|
appartamento secondario lunghezza |
8,00 ± 1,70 mm |
|
finitura superficiale |
singolo o doppio volto lucido |
|
confezione |
scatola di wafer singolo o scatola multi-wafer |
|
area utilizzabile |
≥ 90% |
|
esclusione del bordo |
1 mm |
4h semi-isolante sic, 2 "specifiche wafer
|
substrato proprietà |
S4H-51-si-pwam-250 s4h-51-si-pwam-330 s4h-51-si-pwam-430 |
|
descrizione |
produzione a / b grado c / d research grade d dummy grade 4h semi substrato |
|
polytype |
4h |
|
diametro |
(50,8 ± 0,38) mm |
|
spessore |
(250 ± 25) μm (330 ± 25) μm (430 ± 25) μm |
|
resistività (rt) |
u0026 gt; 1e5 Ω · cm |
|
superficie rugosità |
u0026 Lt; 0,5 nm (si-face cmp epi-ready); u0026 lt; 1 nm (lucido ottico c-face) |
|
FWHM |
un u0026 lt; 30 arcsec b / c / d u0026 lt; 50 secondi d'arco |
|
micropipe densità |
a + ≤1cm -2 a≤10cm-2 b≤30cm-2 c≤50cm-2 d≤100cm-2 |
|
superficie orientamento |
|
|
sopra asse u0026 lt; 0001 u0026 gt; ± 0,5 ° |
|
|
via asse 3.5 ° verso u0026 lt; 11-20 u0026 gt; ± 0,5 ° |
|
|
appartamento primario orientamento |
parallelo {1-100} ± 5 ° |
|
appartamento primario lunghezza |
16,00 ± 1,70 mm |
|
appartamento secondario orientamento si-face: 90 ° cw. dall'orientamento piatto ± 5 ° |
|
|
c-face: 90 ° ccw. dall'orientamento piatto ± 5 ° |
|
|
appartamento secondario lunghezza |
8,00 ± 1,70 mm |
|
finitura superficiale |
singolo o doppio volto lucido |
|
confezione |
scatola di wafer singolo o scatola multi-wafer |
|
area utilizzabile |
≥ 90% |
|
esclusione del bordo |
1 mm |
6h tipo n o semi-isolante sic, 5mm * 5mm, 10mm * 10mm wafer specifiche: spessore: 330μm / 430μm
Specifica 6h tipo n o semi-isolante sic, 15mm * 15mm, 20mm * 20mm wafer: spessore: 330μm / 430μm
4h n-type sic, 2 "specifiche di wafer
|
substrato proprietà |
s4h-51-n-pwam-330 s4h-51-n-pwam-430 |
|
|
descrizione |
produzione a / b manichino di grado c / d di ricerca grado 4h sic substrato |
|
|
polytype |
4h |
|
|
diametro |
(50,8 ± 0,38) mm |
|
|
spessore |
(250 ± 25) μm (330 ± 25) μm (430 ± 25) μm |
|
|
tipo di vettore |
tipo n |
|
|
drogante |
azoto |
|
|
resistività (rt) |
0,012 - 0,0028 Ω · cm |
|
|
superficie rugosità |
u0026 Lt; 0,5 nm (si-face cmp epi-ready); u0026 lt; 1 nm (lucido ottico c-face) |
|
|
FWHM |
un u0026 lt; 30 arcsec b / c / d u0026 lt; 50 secondi d'arco |
|
|
micropipe densità |
a + ≤1cm -2 a≤10cm-2 b≤30cm-2 c≤50cm-2 d≤100cm-2 |
|
|
superficie orientamento |
u0026 EMSP; |
|
|
in asse |
u0026 Lt; 0001 u0026 gt; ± 0,5 ° |
|
|
fuori asse |
4 ° o 8 ° verso u0026 lt; 11-20 u0026 gt; ± 0,5 ° |
|
|
appartamento primario orientamento |
parallelo {1-100} ± 5 ° |
|
|
appartamento primario lunghezza |
16,00 ± 1,70) mm |
|
|
appartamento secondario orientamento |
si-face: 90 ° cw. dall'orientamento piatto ± 5 ° |
|
|
c-face: 90 ° ccw. dall'orientamento piatto ± 5 ° |
||
|
appartamento secondario lunghezza |
8,00 ± 1,70 mm |
|
|
finitura superficiale |
singolo o doppio volto lucido |
|
|
confezione |
scatola di wafer singolo o scatola multi-wafer |
|
|
area utilizzabile |
≥ 90% |
|
|
esclusione del bordo |
1 mm |
|
4h n-type sic, 3 "specifiche wafer
|
substrato proprietà |
s4h-76-n-pwam-330 s4h-76-n-pwam-430 |
|
descrizione |
a / b grado di produzione c / g grado di ricerca di grado fittizio 4h sic substrato |
|
polytype |
4h |
|
diametro |
(76,2 ± 0,38) mm |
|
spessore |
(350 ± 25) μm (430 ± 25) μm |
|
tipo di vettore |
tipo n |
|
drogante |
azoto |
|
resistività (rt) |
0,015 - 0.028Ω · cm |
|
superficie rugosità |
u0026 Lt; 0,5 nm (si-face cmp epi-ready); u0026 lt; 1 nm (lucido ottico c-face) |
|
FWHM |
un u0026 lt; 30 arcsec b / c / d u0026 lt; 50 secondi d'arco |
|
micropipe densità |
a + ≤1cm -2 a≤10cm-2 b≤30cm-2 c≤50cm-2 d≤100cm-2 |
|
ttv / bow / warp |
u003c 25 micron |
|
superficie orientamento |
|
|
in asse |
u0026 Lt; 0001 u0026 gt; ± 0,5 ° |
|
fuori asse |
4 ° o 8 ° verso u0026 lt; 11-20 u0026 gt; ± 0,5 ° |
|
appartamento primario orientamento |
u0026 Lt; 11-20 u0026 gt; ± 5.0 ° |
|
appartamento primario lunghezza |
22,22 mm ± 3,17 mm |
|
0.875 "± 0,125" |
|
|
appartamento secondario orientamento |
si-face: 90 ° cw. a partire dal orientamento piatto ± 5 ° |
|
c-face: 90 ° ccw. dall'orientamento piatto ± 5 ° |
|
|
appartamento secondario lunghezza |
11,00 ± 1,70 mm |
|
finitura superficiale |
singolo o doppio volto lucido |
|
confezione |
scatola di wafer singolo o scatola multi-wafer |
|
graffiare |
nessuna |
|
area utilizzabile |
≥ 90% |
|
esclusione del bordo |
2 millimetri |
4h semi-isolante sic, 3 "specifiche wafer
|
substrato proprietà |
s4h-76-n-pwam-330 s4h-76-n-pwam-430 |
|
descrizione |
produzione a / b grado c / d livello di ricerca d numero fittizio 4h sic substrato |
|
polytype |
4h |
|
diametro |
(76,2 ± 0,38) mm |
|
spessore |
(350 ± 25) μm (430 ± 25) μm |
|
tipo di vettore |
semi-isolante |
|
drogante |
v |
|
resistività (rt) |
u0026 gt; 1e5 Ω · cm |
|
superficie rugosità |
u0026 Lt; 0,5 nm (si-face cmp epi-ready); u0026 lt; 1 nm (lucido ottico c-face) |
|
FWHM |
un u0026 lt; 30 arcsec b / c / d u0026 lt; 50 secondi d'arco |
|
micropipe densità |
a + ≤1cm -2 a≤10cm-2 b≤30cm-2 c≤50cm-2 d≤100cm-2 |
|
ttv / bow / warp |
u003c 25 micron |
|
superficie orientamento |
|
|
in asse |
u0026 Lt; 0001 u0026 gt; ± 0,5 ° |
|
fuori asse |
4 ° o 8 ° verso u0026 lt; 11-20 u0026 gt; ± 0,5 ° |
|
appartamento primario orientamento |
u0026 Lt; 11-20 u0026 gt; ± 5.0 ° |
|
appartamento primario lunghezza |
22,22 mm ± 3,17 mm |
|
0.875 "± 0,125" |
|
|
appartamento secondario orientamento |
si-face: 90 ° cw. dall'orientamento piatto ± 5 ° |
|
c-face: 90 ° ccw. dall'orientamento piatto ± 5 ° |
|
|
appartamento secondario lunghezza |
11,00 ± 1,70 mm |
|
finitura superficiale |
singolo o doppio volto lucido |
|
confezione |
scatola di wafer singolo o scatola multi-wafer |
|
graffiare |
nessuna |
|
area utilizzabile |
≥ 90% |
|
esclusione del bordo |
2 millimetri |
4h n-type sic, 4 "specifiche wafer
|
substrato proprietà |
s4h-100-n-pwam-330 s4h-100-n-pwam-430 |
|
descrizione |
produzione a / b manichino di grado c / d di ricerca grado 4h sic substrato |
|
polytype |
4h |
|
diametro |
(100,8 ± 0,38) mm |
|
spessore |
(350 ± 25) μm (430 ± 25) μm |
|
tipo di vettore |
tipo n |
|
drogante |
azoto |
|
resistività (rt) |
0,015 - 0.028Ω · cm |
|
superficie rugosità |
u0026 Lt; 0,5 nm (si-face cmp epi-ready); u0026 lt; 1 nm (lucido ottico c-face) |
|
FWHM |
un u0026 lt; 30 arcsec b / c / d u0026 lt; 50 secondi d'arco |
|
micropipe densità |
a + ≤1cm -2 a≤10cm-2 b≤30cm-2 c≤50cm-2 d≤100cm-2 |
|
ttv / bow / warp |
u003c 45μm |
|
superficie orientamento |
|
|
in asse |
u0026 Lt; 0001 u0026 gt; ± 0,5 ° |
|
fuori asse |
4 ° o 8 ° verso u0026 lt; 11-20 u0026 gt; ± 0,5 ° |
|
appartamento primario orientamento |
u0026 Lt; 11-20 u0026 gt; ± 5.0 ° |
|
appartamento primario lunghezza |
32,50 mm ± 2,00 mm |
|
appartamento secondario orientamento |
si-face: 90 ° cw. dall'orientamento piatto ± 5 ° |
|
c-face: 90 ° ccw. dall'orientamento piatto ± 5 ° |
|
|
appartamento secondario lunghezza |
18,00 ± 2,00 mm |
|
finitura superficiale |
singolo o doppio volto lucido |
|
confezione |
scatola di wafer singolo o scatola multi-wafer |
|
graffiare |
nessuna |
|
area utilizzabile |
≥ 90% |
|
esclusione del bordo |
2 millimetri |
Specifiche 4h tipo n o semi-isolante sic, 5mm * 5mm, 10mm * 10mm wafer: Spessore: 330μm / 430μm
Wafer 4h tipo n o semi-isolante, 15mm * 15mm, 20mm * 20mm specifica: Spessore: 330μm / 430μm
wafer a-piano sic, dimensioni: 40mm * 10mm, 30mm * 10mm, 20mm * 10mm, 10mm * 10mm, specifiche sotto:
Spessore del tipo 6h / 4h n: 330μm / 430μm o personalizzato
Spessore semi-isolante 6h / 4h: 330μm / 430μm o personalizzato
forniamo su misura film sottile personalizzato (carburo di silicio) sicità su substrati 6h o 4h per lo sviluppo di dispositivi in carburo di silicio. sic epi wafer viene utilizzato principalmente per diodi schottky, transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo, transistor a effetto di campo a giunzione, transistor a giunzion6
pam-xiamen è in grado di offrire i seguenti servizi di wafer reclaim sic.
A causa delle sue proprietà fisiche ed elettroniche, il dispositivo a base di carburo di silicio è adatto per dispositivi elettronici optoelettronici, ad alta temperatura, resistenti alle radiazioni e ad alta potenza / alta frequenza, a confronto con dispositivi basati su si e gaas.
A causa delle sue proprietà fisiche ed elettroniche, il dispositivo a base di carburo di silicio è adatto per dispositivi elettronici optoelettronici, ad alta temperatura, resistenti alle radiazioni e ad alta potenza / alta frequenza, a confronto con dispositivi basati su si e gaas.
I prodotti del modello di pam-xiamen sono costituiti da strati cristallini di nitruro di gallio (gan), nitruro di alluminio (aln), nitruro di gallio di alluminio (algan) e nitruro di gallio indio (ingan), che si depositano su substrati di zaffiro, i modelli di carburo di silicio o di silicon.pam-xiamen consentono tempi di ciclo epitassiale più brev6
Xiamen powerway offre gap wafer - fosfuro di gallio cresciuto da lec (liquido czochralski incapsulato) come grado epi-ready o meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100).
pam-xiamen offre wafer fittizio / wafer di test / wafer di monitoraggio
xiamen powerway offre wafer gasb - gallio antimonide cresciuto da lec (czochralski liquido incapsulato) come Epi-ready o grado meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100)
informazioni sui contatti
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
