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  • sic crystal

    sic epitaxy

    forniamo su misura film sottile personalizzato (carburo di silicio) sicità su substrati 6h o 4h per lo sviluppo di dispositivi in ​​carburo di silicio. sic epi wafer viene utilizzato principalmente per diodi schottky, transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo, transistor a effetto di campo a giunzione, transistor a giunzione bipolare, tiristori, gto e gate bipolare isolato.

    hot tag : sic epitaxy deposizione epitassiale wafer epitassiale carburo di silicio diodo sic

  • GaAs crystal

    gaas epiwafer

    Stiamo fabbricando vari tipi di materiali semiconduttori di tipo n drogati al silicio e-iii epi wafer basati su ga, al, in, as e p sviluppati da mbe o mocvd. forniamo strutture personalizzate per soddisfare le specifiche del cliente. vi preghiamo di contattarci per ulteriori informazioni.

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  • Germanium substrate

    ge (germanio) singoli cristalli e wafer

    pam offre materiali semiconduttori, wafer al germanio monocristallino (ge) cresciuto da vgf / lec

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