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  • gan on silicon

    substrato gan indipendente

    pam-xiamen ha stabilito la tecnologia di produzione per wafer di substrato gan indipendente (nitruro di gallio), che è per uhb-led e ld. cresciuto con tecnologia di epitassia a fase di vapore idruro (hvpe), il nostro substrato gan ha una bassa densità di difetti.

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  • sic wafer

    applicazione sic

    A causa delle sue proprietà fisiche ed elettroniche, il dispositivo a base di carburo di silicio è adatto per dispositivi elettronici optoelettronici, ad alta temperatura, resistenti alle radiazioni e ad alta potenza / alta frequenza, a confronto con dispositivi basati su si e gaas.

    hot tag : applicazione sic chip di wafer incisione su wafer diodo sic proprietà del carburo di silicio mosfet al carburo di silicio

  • GaAs crystal

    wafer di gaas (arseniuro di gallio)

    pwam sviluppa e produce substrati semiconduttori composti: cristallo di arseniuro di gallio e wafer. Abbiamo utilizzato tecnologie avanzate per la crescita dei cristalli, il congelamento con gradiente verticale (vgf) e il gaas wafer, stabilito una linea di produzione dalla crescita dei cristalli, taglio, molatura alla lavorazione della lucidatura e costruzione una camera pulita di 100 classi per la pulizia e l'imballaggio dei wafer. il nostro gaas wafer include lingotti / wafer da 2 ~ 6 pollici per applicazioni led, ld e microelettronica. Siamo sempre dedicati a migliorare la qualità dei sottostati attuali e sviluppare substrati di grandi dimensioni.

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  • InSb substrate

    wafer di insb

    xiamen powerway offre insb wafer - indium antimonide che sono cresciuti da lec (czochralski incapsulato liquido) come EPI-ready o grado meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100).

    hot tag : wafer di insb insb substrato wafer di antimonio di indio substrato di antimonio di indio proprietà antimonio di indio prezzo del wafer insb

  • GaSb substrate

    wafer gasb

    xiamen powerway offre wafer gasb - gallio antimonide cresciuto da lec (czochralski liquido incapsulato) come Epi-ready o grado meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100)

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  • GaP substrate

    gap gap

    Xiamen powerway offre gap wafer - fosfuro di gallio cresciuto da lec (liquido czochralski incapsulato) come grado epi-ready o meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100).

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