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inp / ingaas / inp epi wafer

2017-07-18

possiamo offrire 2 \"inp / ingaas / inp epi wafer come segue:


substrato inp:


wafer di fosfuro di indio,

p / e 2 \"dia × 350 +/- 25um,

n-type inp: s

(100) +/- 0.5 °,

edp \u0026 lt; 1E4 / cm2.

un lato lucido, retro opaco inciso, semi appartamenti.


strato epi:


epi 1: ingaas: (100)

spessore: 100nm,

strato di incisione all'acquaforte


epi 2: inp: (100)

spessore: 50nm,

strato di legame



fonte: semiconductorwafers.net


per ulteriori informazioni, si prega di visitare il nostro sito: http://www.semiconductorwafers.net,

mandaci una email a angel.ye@powerwaywafer.co m o powerwaymaterial@gmail.com .


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