forniamo wafer di n + o p + gaas epi con lo strato alas su n + o p + ga substrato come segue:

no.1 spec: 2 pollici p + gaas epi con strato di alas su substrato p + gaas.

struttura (dal basso verso l'alto):

layer0: 350 um p + substrato gaas semi-conduttivo, \u0026 gt; e18 doping, qualsiasi tipo di drogante

layer1: 300 nm p + strato buffer gaas semiconduttivo, \u0026 gt; concentrazione eoping 18, qualsiasi tipo di drogante

layer2: 10 nm ahimè undoped (lo strato ahimè deve essere cresciuto usando as2 [dimero] e non as4 [tetramero]),

layer3: 2 um p + semi-conduttore gaas epi layer, \u0026 gt; e18 concentrazione doping, qualsiasi tipo di drogante

no.2 spec: 2 pollici n + gaas epi con strato alas su n + substrato gaas.

struttura (dal basso verso l'alto):

layer0: 350 um n + substrato gaas semiconduttivo, si-doping con \u0026 gt; e18 doping

layer1: 300 nm n + strato buffer gaas semi-conduttivo, si-doping con \u0026 gt; e18 concentrazione doping

layer2: 10 nm ahimè undoped (lo strato ahimè deve essere cresciuto usando as2 [dimero] e non as4 [tetramero]),

layer3: 2 um n + strato di epi semi-conduttore, si-doping con \u0026 gt; e18 concentrazione di drogaggio

spec. no.3: 2 pollici di Gaas - ahimè struttura a due barriere:

1 strato: contatto, Gaas, concentrazione portante 10e18 cm-3, 100 nm

2 strati: spaziatore, gaas, non rivestiti, 10 nm

3 strati: barriera, ahimè, non aperta, 2,3 nm

4 strati: pozzo quantistico, gaas, non drogato, 4,5 nm

5 strati: barriera, ahimè, non aperta, 2 nm

6 strati: spaziatore, gaas, non rivestiti, 40 nm

7 strati: contatto, Gaas, concentrazione portante 10e18 cm-3, 500 nm

no.4 spec: 20nm gaas non rivestiti / 10nm ahimè su gaas s.i. substrato (no dram, no sram, no chip di memoria - solo wafer).

anisotropia della conducibilità termica in gaas / ahimè superlattici

combiniamo il reticolo termico transitorio e le tecniche di termoriflettenza nel dominio del tempo per caratterizzare le conduttività termiche anisotropiche di gaas / ahimè superlattici dallo stesso wafer. la tecnica del reticolo transitorio è sensibile solo alla conduttività termica nel piano, mentre la termoreflettanza nel dominio del tempo è sensibile alla conduttività termica nella direzione del piano incrociato, rendendoli una potente combinazione per affrontare le sfide associate alla conduzione anisotropica del calore nel sottile pellicole. confrontiamo i risultati sperimentali del gaas / alas superlattici con i calcoli dei primi principi e le precedenti misurazioni di si / ge sls. l'anisotropia misurata è inferiore a quella di si / ge sls, coerente sia con l'immagine di mismatch di massa dell'interfaccia scattering sia con i risultati dei calcoli dalla teoria della perturbazione funzionale alla densità con la miscelazione dell'interfaccia inclusa.

fonte: semiconductorwafers.net

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