possiamo offrire 2 \"wafer di linga / inp epi per pin come segue:
substrato inp:
orientamento inp: (100)
drogato con fe, semi-isolante
dimensione del wafer: diametro 2 \"
resistività: \u0026 gt; 1x10 ^ 7) ohm.cm
epd: \u0026 lt; 1x10 ^ 4 / cm ^ 2
lato singolo lucido.
strato epi:
inxga1-xas
nc \u0026 gt; 2x10 ^ 18 / cc (usando si come drogante),
spessore: 0,5 um (+/- 20%)
rugosità di epi-layer, ra \u0026 lt; 0,5nm
fonte: semiconductorwafers.net
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