Strati p-3C-SiC altamente drogati di buona perfezione cristallina sono stati coltivati mediante epitassia di sublimazione nel vuoto. L'analisi degli spettri di fotoluminescenza e la dipendenza dalla temperatura della concentrazione del vettore mostra che nei campioni studiati esistono almeno due tipi di centri accettore a ~ EV + 0,25 eV e a EV + 0,06–0,07 eV. Si è giunti alla conclusione che strati di questo tipo possono essere usati come p-emettitori in dispositivi 3C–SiC.
Fonte: IOPscience
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