possiamo offrire 4 \"gaas hemt epi wafer, per favore vedi sotto struttura tipica:
1) 4 \"s substrato gaas con orientamento [100],
2) [buffer] superlattice di al (0.3) ga (0.7) come / gaas con spessori 10/3 nm, ripetere 170 volte,
3) barriera al (0,3) ga (0,7) come 400 nm,
4) quantum well gaas 20 nm,
5) spacer al (0.3) ga (0.7) come 15 nm,
6) delta-doping con si per creare densità di elettroni 5-6 * 10 ^ 11 cm ^ (- 2),
7) barriera al (0,3) ga (0,7) come 180 nm,
8) cappuccio livello strato 15 nm.
fonte: semiconductorwafers.net
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