mette in risalto

• crescita di mocvd di una cella solare p-gan / i-ingan / n-gan (pin) su modelli zno / zaffiro.

• caratterizzazioni strutturali approfondite che non mostrano back-incisione dello zno.

• sollevamento chimico e incollaggio wafer della struttura su vetro float.

• caratterizzazioni strutturali del dispositivo su vetro.

astratto

strutture p-gan / i-ingan / n-gan (pin) sono state coltivate epitassialmente su substrati di c-zaffiro zno-buffer mediante epitassia di fase di vapore organico del metallo usando il precursore di ammoniaca standard industriale per l'azoto. la microscopia elettronica a scansione ha rivelato strati continui con un'interfaccia fluida tra gan e zno e nessuna evidenza di back-incisione dello zno. la spettroscopia a raggi x disperdente energia ha rivelato un picco di contenuto di indio di poco inferiore al 5% negli strati attivi. la struttura a perno fu sollevata dallo zaffiro attaccando selettivamente via il tampone zno in un acido e poi diretto su un substrato di vetro. gli studi dettagliati di microscoy di elettroni di trasmissione ad alta risoluzione e gli studi di diffrazione dei raggi X di incidenza hanno rivelato che la qualità strutturale delle strutture dei pin è stata preservata durante il processo di trasferimento.

parole chiave

a1. caratterizzazione; a3. epitassia di fase di vapore metallo-organico; b1. nitruri; b1. composti di zinco; b3. celle solari

fonte: ScienceDirect

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