L'obiettivo di questo documento è presentare i calcoli dell'allineamento di banda di pozzi quantici ricchi di indio (> 53%) Ga1−xInxNyAs1−y altamente tesi su substrati InP che consentono una lunghezza d'onda di emissione dell'ordine di 2,3 µm. Ci concentriamo sull'allineamento della banda del reticolo dei pozzetti Ga0.22In0.78N0.01As0.99 abbinato alle barriere In0.52Al0.48As. I nostri calcoli mostrano che l'incorporazione di azoto in Ga1−xInxAs migliora significativamente l'allineamento della banda consentendo a Ga0.22In0.78N0.01As0.99/In0.52Al0.48As pozzi quantici su substrati InP di competere con l'allineamento di banda unico di GaInNAs/GaAs quantum pozzi su substrati GaAs .
Fonte: IOPscience
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