offerta pam-xiamen ingan su zaffiro , nel contenuto degli strati di ingan varia dal 10% al 40%, l'immagine allegata è modello inganno con contenuto 20%, 30%, 40% (da sinistra a destra), vedere sotto foto ingan:
Gaas bassa temperatura (lt-gaas) risultati sperimentali, offriamo lt-gaas / gaas, per favore scarica il risultato del test lt-gaas qui sotto: http://www.semiconductorwafers.net/low-temperature-gaas-test-report/
xiamen powerway advanced material co., ltd., un fornitore leader di gaas epi wafer e altri prodotti e servizi correlati ha annunciato la nuova disponibilità di dimensione 2 \"-4\" è in produzione di massa nel 2017. questo nuovo prodotto rappresenta una naturale aggiunta a pam -la linea di prodotti di xiamen. dr. shaka, ha dichiarato, \"siamo lieti di offrire gaas epi wafer ai nostri clienti, inclusi molti che stanno sviluppando meglio e più affidabili per laser a superficie verticale con emissione di cavità. il nostro gaas epi wafer ha proprietà eccellenti. vcsels per lunghezze d'onda da 650 nm a 1300 nm sono in genere basati su wafer all'arseniuro di gallio (gaas) con dbrs formato da gaas e alluminio arseniuro di gallio (alxga (1-x) as). il sistema gaas-algaas è preferito per la costruzione di vcsel perché la costante del reticolo del materiale non varia fortemente al variare della composizione, consentendo la crescita di più strati epitassiali \"retice-matched\" su un substrato di Gaas. tuttavia, l'indice di rifrazione delle alghe varia in modo relativamente forte all'aumentare della frazione alfa, riducendo al minimo il numero di strati necessari per formare uno specchio efficace di bragg rispetto ad altri sistemi di materiali candidati. inoltre, ad elevate concentrazioni di alluminio, si può formare un ossido da alghe e questo ossido può essere usato per limitare la corrente in un vcsel, consentendo correnti di soglia molto basse. la disponibilità migliora i processi di crescita e wafer di boule. \"e\" i nostri clienti possono ora beneficiare della maggiore resa del dispositivo prevista nello sviluppo di transistor avanzati su un substrato quadrato. il nostro gaas epi wafer è naturale per i prodotti dei nostri sforzi in corso, attualmente ci dedichiamo allo sviluppo continuo di prodotti più affidabili. \" La migliorata linea di prodotti gaas epi di pam-xiamen ha beneficiato della tecnologia avanzata, supportata dall'università e dal centro di laboratorio nativi. ora mostra un esempio come segue: 1,2 pollici n + gaas epi con strato alas su n + substrato gaas, specifica come sotto: strato superiore: 2 um n + semi-conduttore gaas epi layer, si-doping con \u0026 gt; e18 concentrazione di drogaggio secondo strato: 10 nm ahimè non tessuto (lo strato di alas deve essere coltivato usando as2 [dimer] e non as4 [tetramer]), terzo strato: 300 nm n + strato tampone gaas semiconduttivo, si-doping con \u0026 gt; e18 concentrazione di drogaggio strato inferiore: 350 um n + substrato gaas semiconduttivo, si-doping con \u0026 gt; e18 drogaggio 2.2 pollici p + gaas epi con lo strato di alas su substrato p + gaas, specifica come di seguito: la struttura richiesta è elencata dall'alto verso il basso: strato superiore: 2 um p + semi-conduttore gaas epi layer, \u0026 gt; e18 concentrazione di drogaggio, qualsiasi tipo di drogante secondo strato: 10 nm ahimè non tessuto (lo strato di alas deve essere coltivato usando as2 [dimer] e non as4 [tetramer]), terzo strato:...
xiamen powerway advanced material co., ltd., un fornitore leader di Gaasp materiali e altri prodotti e servizi correlati hanno annunciato la nuova disponibilità di 2 \"-3\" dimensioni è sulla produzione di massa nel 2017. questo nuovo prodotto rappresenta una naturale aggiunta alla linea di prodotti pam-xiamen.dr. shaka, ha detto, \"siamo lieti di offrire Gaasp wafer ai nostri clienti, inclusi molti che si stanno sviluppando meglio e più affidabili per i dispositivi a emissione di luce rossa. nostro Gaasp il materiale ha proprietà eccellenti, come composizione uniforme e / o uniforme nell'efficienza quantica esterna. la disponibilità migliora i processi di crescita e wafer di boule. \"e\" i nostri clienti possono ora beneficiare della maggiore resa del dispositivo prevista nello sviluppo di transistor avanzati su un substrato quadrato. nostro Gaasp materiale naturale per i prodotti dei nostri sforzi in corso, attualmente ci dedichiamo allo sviluppo continuo di prodotti più affidabili. \" pam-xiamen è migliorato Gaasp la linea di prodotti ha beneficiato di una forte tecnologia. supporto da università nativa e centro di laboratorio. ora mostra un esempio come segue: parametri di wafer tipo di conduzione tipo n resistività, cm onm * 0.008 orientamento (100) disoriention (1-3) ° strato epitassiale Gaasp tipo di conduzione tipo n drogante TE vettore concentrazione, cm-3 (0,2-3,0) * 10 ^ 17 fotoluminescenza lunghezza d'onda, nm 645-673 spessore epi-layer, um ≥ 30 epi-struttura spessore, um 360-600 zona, cm ^ 2 ≥ 6,5 circa xiamen powerway advanced material co., ltd trovato nel 1990, xiamen powerway advanced material co., ltd (pam-xiamen) è un produttore leader di materiali semiconduttori composti in Cina. pam-xiamen sviluppa tecnologie avanzate di crescita dei cristalli e di epitassia, processi di produzione, substrati ingegnerizzati e dispositivi a semiconduttore. Le tecnologie di pam-xiamen consentono prestazioni più elevate e una produzione a basso costo di wafer di semiconduttori. di Gaasp il fosfuro di arseniuro di gallio (gaas1-xpx) è un materiale semiconduttore, una lega di arseniuro di gallio e fosfuro di gallio. esiste in vari rapporti di composizione indicati nella sua formula dalla frazione di fosfuro di arseniuro x.gallio viene utilizzato per la produzione di diodi emettitori di luce rossi, arancioni e gialli. viene spesso coltivato su substrati di fosfuro di gallio per formare una eterostruttura gap / gibbosità. per sintonizzarne le proprietà elettroniche, può essere drogato con azoto (gaasp: n). per ulteriori informazioni, si prega di visitare il nostro sito: http://www.semiconductorwafers.net , inviaci una email a angel.ye@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com .
xiamen powerway advanced material co., ltd., un fornitore leader di InGaAs wafer e altri prodotti e servizi correlati hanno annunciato che la nuova disponibilità di taglia 2 \"è prevista per la produzione di massa nel 2017. Questo nuovo prodotto rappresenta un'aggiunta naturale alla linea di prodotti pam-xiamen. dr. shaka, ha detto, \"siamo lieti di offrire InGaAs wafer ai nostri clienti tra cui molti che si stanno sviluppando meglio e più affidabili per i rivelatori a infrarossi e per i dispositivi Hemt InGaAs canali. nostro ingaa Il wafer ha proprietà eccellenti, pellicole epitassiali a cristallo singolo di InGaAs può essere depositato su un singolo substrato di cristallo del semiconduttore iii-v avente un parametro reticolare vicino a quello della specifica lega di arseniuro di gallio indio da sintetizzare. si possono usare tre substrati: gaas, inas e inp. la disponibilità migliora i processi di crescita e wafer di boule. \"e\" i nostri clienti possono ora beneficiare della maggiore resa del dispositivo prevista nello sviluppo di transistor avanzati su un substrato quadrato. nostro InGaAs i wafer sono naturali per i prodotti dei nostri sforzi in corso, attualmente ci dedichiamo allo sviluppo continuo di prodotti più affidabili. \" pam-xiamen è migliorato InGaAs la linea di prodotti ha beneficiato di una forte tecnologia, supportata dall'università e dal centro di laboratorio nativi. ora mostra un esempio come segue: \u0026 EMSP; x / y doping vettore conc. [cm-3] spessore [um] lunghezza d'onda [um] disallineamento del reticolo Inas (y) p 0.25 nessuna 5.00e + 15 1.0 - - a (x) GaAs 0.63 nessuna \u0026 Lt; 3.0e15 3.0 1.9 - 600 \u0026 lt; \u0026 gt; 600 Inas (y) p 0.25 S 1.00E + 18 2.5 - - Inas (y) p 0.05 \u0026 gt; 0,25 S 1.00E + 18 4.0 - - inp - S 1.00E + 18 0.25 - - substrato: inp \u0026 EMSP; S 4.30e + 18 ~ 350 \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; circa xiamen powerway advanced material co., ltd trovato nel 1990, xiamen powerway advanced material co., ltd (pam-xiamen) è un produttore leader di materiali semiconduttori composti in Cina. pam-xiamen sviluppa tecnologie avanzate di crescita dei cristalli e di epitassia, processi di produzione, substrati ingegnerizzati e dispositivi a semiconduttore. Le tecnologie di pam-xiamen consentono prestazioni più elevate e una produzione a basso costo di wafer di semiconduttori. di InGaAs wafer indio arseniuro di gallio ( InGaAs ) (in alternativa arseniuro di gallio indio) è una lega ternaria (composto chimico) di indio, gallio e arsenico. indio e gallio sono entrambi dal gruppo boro (gruppo iii) di elementi mentre l'arsenico è un elemento pnictogen (gruppo v). quindi le leghe costituite da questi gruppi chimici sono indicate come composti \"iii-v\". poiché appartengono allo stesso gruppo, indio e gallio hanno ruoli simili nel legame chimico. InGaAs è considerata una lega di arseniuro di gallio e arseniuro di indio con proprietà intermedie tra i due a seconda della proporzione di gallio in indio. InGaAs è un semicondu...
xiamen powerway advanced material co., ltd., un fornitore leader di ingaasn wafer e altri prodotti e servizi correlati hanno annunciato che la nuova disponibilità di taglia 2 \"è prevista per la produzione di massa nel 2017. Questo nuovo prodotto rappresenta un'aggiunta naturale alla linea di prodotti pam-xiamen. dr. shaka, ha detto, \"siamo lieti di offrire ingaasn wafer ai nostri clienti tra cui molti che stanno sviluppando meglio e più affidabili per diodo laser. le proprietà di fotoluminescenza di ingaasn i pozzi quantici sono stati esaminati come metodo per migliorare le prestazioni dei laser a 1300 nm basati su Gaas. tra i parametri che influenzano significativamente la qualità di questo materiale, la temperatura di crescita e il rapporto in / n della lega hanno effetti particolarmente profondi. temperature di crescita sostanzialmente inferiori a quelle normalmente usate per materiali di gaas o di ingaas sembrano migliorare la qualità di questa lega, mentre in frazioni di 0,3-0,35 risultano in un compromesso accettabile tra ben ceppo quantico e qualità ottica. la disponibilità migliora i processi di crescita e wafer di boule. \"e\" i nostri clienti possono ora beneficiare della maggiore resa del dispositivo prevista nello sviluppo di transistor avanzati su un substrato quadrato. nostro ingaasn i wafer sono naturali per i prodotti dei nostri sforzi in corso, attualmente ci dedichiamo allo sviluppo continuo di prodotti più affidabili. \" pam-xiamen è migliorato ingaasn la linea di prodotti ha beneficiato di una forte tecnologia, supportata dall'università e dal centro di laboratorio nativi. ora mostra un esempio come segue: strato doping spessore (um) altro GaAs non drogato ~ 350 wafer substrato ingaasn * non drogato 0.15 band gap \u0026 lt; 1 ev al (0,3) bis (0,7) come non drogato 0.50 \u0026 EMSP; GaAs non drogato 2.00 \u0026 EMSP; al (0,3) bis (0,7) come non drogato 0.50 \u0026 EMSP; circa xiamen powerway advanced material co., ltd trovato nel 1990, xiamen powerway advanced material co., ltd (pam-xiamen) è un produttore leader di materiali semiconduttori composti in Cina. pam-xiamen sviluppa tecnologie avanzate di crescita dei cristalli e di epitassia, processi di produzione, substrati ingegnerizzati e dispositivi a semiconduttore. Le tecnologie di pam-xiamen consentono prestazioni più elevate e una produzione a basso costo di wafer di semiconduttori. Stiamo fabbricando vari tipi di materiali semiconduttori di tipo n drogati al silicio e-iii epi wafer basati su ga, al, in, as e p sviluppati da mbe o mocvd. forniamo strutture personalizzate per soddisfare le specifiche del cliente. si prega di contattarci per ulteriori informazioni sul prodotto o discutere una specifica struttura del livello Epi. di ingaasn wafer nitruro di arseniuro di indio e gallio, un nuovo semiconduttore. singoli strati e più pozzi quantici fatti di ingaasn sono stati indagati è stato trovato che un po 'di azoto può essere incorporato negli ingaas, ma l'incorporazione...
epigan nv, fornitore mondiale di soluzioni di materiali epitassiali di nitruro nitrico per la produzione di semiconduttori avanzati, presenterà gli ultimi miglioramenti del suo nitruro di gallio sulla famiglia di siliconi epi-wafer che soddisfa le specifiche industriali per i dispositivi a transistor ad alta velocità (650 mA) Europa 2017 a Norimberga, Germania, (16 - 18 maggio 2017) come ell come a csmantech in pozzi indiani, California, SUA (può 22-14, 2017). a pcim europe 2017, epigan esporrà nel padiglione 6, stand 432. (immagine: epigan) attingendo alla sua posizione di tecnologia leader in materiali avanzati gan-on-si e gan-on-sic per dispositivi di commutazione dell'alta potenza e di potenza RF per applicazioni a onde millimetriche, epigan è leader nella definizione della qualità del materiale epi-wafer per le proprietà del dispositivo che ridurre le perdite di conversione e aumentare l'affidabilità. con la sua tecnologia gan-on-si economicamente efficiente, epigan ha consentito innovazioni in frenata su strada nei sistemi di gestione dell'alimentazione a 650v e nei sistemi di alimentazione RF, come la tecnologia gan / si di ridimensionamento fino a 200mm per economie di scala per entrare nelle linee di produzione CMOS mainstream idms e fonderie basati su epigan ha ripreso e superato con successo questa sfida manifatturiera e sviluppato versioni da 200 mm dei suoi epiwafers gv-on-si hv650v e hvrf. tra i successi distintivi dei prodotti di potenza hv650v rf di epigan vi è un buon comportamento dinamico per i dispositivi di potenza e le perdite più basse di rf (da 0,5 db / mm fino a 50 ghz) per la famiglia di prodotti hvrf. un importante vantaggio competitivo e un concetto chiave della tecnologia gan / si epi-wafer di epigan è lo strato limite sinistrorso in situ. questa caratteristica speciale, come pioniere di epigan, fornisce passivazione superficiale e affidabilità del dispositivo superiori e consente l'elaborazione senza contaminazioni nelle infrastrutture di produzione standard si-cmos esistenti. la strutturazione del peccato in-situ consente anche l'uso di strati aln puri come materiali barriera, il che si traduce in minori perdite di conduzione e / o consente la progettazione di chip di dimensioni più piccole con lo stesso valore di corrente. \"La tecnologia gan ha iniziato a entrare in molte applicazioni, sia nella commutazione di potenza che nell'amplificazione della potenza RF,\" afferma l'epigan cofounder e ceo dr marianne germain. \"Forniamo epi-wafer gan-on-si da 200 mm leader del settore all'industria globale dei semiconduttori, e siamo particolarmente orgogliosi di aver sviluppato epi-wafer gan-on-si che mostrano la perdita di rf più bassa fino a 100 ghz. questa è una risposta puntuale alle crescenti esigenze della comunicazione wireless come l'introduzione di 5g e l'internet delle cose \". a pcim europe, dr germain parteciperà a una tavola rotonda di alto livello \"gan - design, emc and measurement\" nel forum fach, organizza...
nonostante le sorprendenti proprietà del grafene e tutta l'ingegneria che è andata a dare al materiale delle meraviglie un gap di banda, le sue prospettive per la logica digitale rimangono tanto in dubbio quanto lo sono mai state.
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