xiamen powerway advanced material co., ltd., un fornitore leader di Gaasp materiali e altri prodotti e servizi correlati hanno annunciato la nuova disponibilità di 2 \"-3\" dimensioni è sulla produzione di massa nel 2017. questo nuovo prodotto rappresenta una naturale aggiunta alla linea di prodotti pam-xiamen.dr. shaka, ha detto, \"siamo lieti di offrire Gaasp wafer ai nostri clienti, inclusi molti che si stanno sviluppando meglio e più affidabili per i dispositivi a emissione di luce rossa. nostro Gaasp il materiale ha proprietà eccellenti, come composizione uniforme e / o uniforme nell'efficienza quantica esterna. la disponibilità migliora i processi di crescita e wafer di boule. \"e\" i nostri clienti possono ora beneficiare della maggiore resa del dispositivo prevista nello sviluppo di transistor avanzati su un substrato quadrato. nostro Gaasp materiale naturale per i prodotti dei nostri sforzi in corso, attualmente ci dedichiamo allo sviluppo continuo di prodotti più affidabili. \"

pam-xiamen è migliorato Gaasp la linea di prodotti ha beneficiato di una forte tecnologia. supporto da università nativa e centro di laboratorio.

ora mostra un esempio come segue:

circa xiamen powerway advanced material co., ltd

trovato nel 1990, xiamen powerway advanced material co., ltd (pam-xiamen) è un produttore leader di materiali semiconduttori composti in Cina. pam-xiamen sviluppa tecnologie avanzate di crescita dei cristalli e di epitassia, processi di produzione, substrati ingegnerizzati e dispositivi a semiconduttore. Le tecnologie di pam-xiamen consentono prestazioni più elevate e una produzione a basso costo di wafer di semiconduttori.

di Gaasp

il fosfuro di arseniuro di gallio (gaas1-xpx) è un materiale semiconduttore, una lega di arseniuro di gallio e fosfuro di gallio. esiste in vari rapporti di composizione indicati nella sua formula dalla frazione di fosfuro di arseniuro x.gallio viene utilizzato per la produzione di diodi emettitori di luce rossi, arancioni e gialli. viene spesso coltivato su substrati di fosfuro di gallio per formare una eterostruttura gap / gibbosità. per sintonizzarne le proprietà elettroniche, può essere drogato con azoto (gaasp: n).

per ulteriori informazioni, si prega di visitare il nostro sito: http://www.semiconductorwafers.net , inviaci una email a angel.ye@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com .