Il processo di formazione di difetti cristallini in uno strato di Ge-su-isolante (strato GOI) fabbricato ossidando uno strato di SiGe-su-isolante (SGOI), noto come tecnica di Ge-condensazione, è studiato sistematicamente. Si è riscontrato che i difetti cristallini nello strato GOI sono dislocazioni filettate e microgemelli che si formano principalmente nell'intervallo della frazione Ge maggiore di ~ 0,5. Inoltre, quando la frazione Ge raggiunge ~1 e si forma lo strato GOI, la densità dei microgemelli diminuisce significativamente e la loro larghezza aumenta considerevolmente. Il rilassamento della deformazione compressiva, osservato negli strati SGOI e GOI, non è attribuibile alla formazione dei microgemelli, ma alle dislocazioni perfette che non possono essere rilevate come difetti nell'immagine del reticolo.
Fonte: IOPscience
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