I film di carbonio amorfo drogato con Co (aC:Co), depositati mediante deposizione laser pulsata, mostrano caratteristiche di contatto pn e ohmico con GaAs di tipo n a bassa resistività (L-GaAs) e GaAs semi-isolato ad alta resistività (S-GaAs). La fotosensibilità aumenta per aC:Co/L-GaAs, mentre diminuisce inversamente per aC:Co/S-GaAs eterogiunzione, rispettivamente. Inoltre, la maggiore fotosensibilità per l'eterogiunzione aC:Co/L-GaAs/Ag mostra anche un comportamento di dipendenza dalla temperatura di deposizione e la temperatura di deposizione ottimale è di circa 500 °C.
Fonte: IOPscience
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