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crescita monocristallina e proprietà termoelettriche di ge (bi, sb) 4te7

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crescita monocristallina e proprietà termoelettriche di ge (bi, sb) 4te7

2018-07-12

le proprietà termoelettriche tra 10 e 300 k e la crescita di singoli cristalli di tipo n e ge tipo ge vengono segnalate le soluzioni solide 4te7 di bi4te7, gesb4te7 e ge (bi1-xsbx). i singoli cristalli sono stati coltivati ​​con il metodo bridgman modificato e il comportamento di tipo p è stato ottenuto sostituendo bi by sb in gebi4te7.


il thermopower nella soluzione solida ge (bi1-xsbx) 4te7 va da -117 a +160 μv k-1. il crossover da tipo n a tipo p è continuo con aumento del contenuto di SB e viene osservato in x ≈0.15. le efficienze termoelettriche più elevate tra i campioni di tipo n e p testati sono znt = 0,11 e zpt = 0,20, rispettivamente. per una coppia n-p ottimale in questo sistema di lega la cifra composita di merito è znpt = 0,17 a temperatura ambiente.


fonte: iopscience


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