Le proprietà elettriche dei wafer legati a temperatura ambiente realizzati con materiali con diverse costanti reticolari, come p-GaAs e n-Si, p-GaAs e n-Si [entrambi con uno strato superficiale di ossido di indio-stagno (ITO)] e n -GaN e p-GaAs, sono stati studiati. Il campione di p-GaAs//n-Si legato ha mostrato una resistenza di interfaccia elettrica di 2,8 × 10 −1 Ω 
cm 2 e ha mostrato caratteristiche di tipo ohmico. Al contrario, il campione legato p-GaAs/ITO//ITO/n-Si mostrava caratteristiche simili a quelle di Schottky. Il campione di wafer n-GaN//p-GaAs legato mostrava caratteristiche ohmiche con una resistenza di interfaccia di 2,7 Ω cm 2 . A nostra conoscenza, questa è la prima istanza segnalata di un wafer GaN//GaAs legato con una bassa resistenza elettrica.
Fonte: IOPscience
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