q: qual è la temperatura più alta e lo shock termico più elevato che i wafer possono sopportare?
a: alle temperature superiori a 1000 c sulla superficie libera di si-face di 6h-sic (0001) vengono avviate le proprietà di segregazione del carbonio in modo che in breve tempo lo strato di carbonio sottile sia visibile a causa della sua fuoriuscita dallo strato superficiale. (se il calore presente nell'aria, il carbonio interagisce con l'ossigeno e lo strato di carbonio non appare, solo lo strato di ossido (sio2) si forma.) sulla faccia c (000-1), questi processi sono avviati da 600-700 c. vicino ai tubi, queste proprietà possono essere avviate alle più basse temperature!
informazioni sui contatti
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
