la capacità della spettroscopia di emissione ottica per lo studio in situ e il controllo della deposizione di strati atomici plasmatici (pe-ald) difosfuro di gallioda fosfina e trimetil gallio trasportato dall'idrogeno è stato esplorato. la variazione della composizione del gas durante il processo di pe-ald è stata monitorata mediante misurazioni in situ dell'intensità di emissione ottica per linee fosfina e idrogeno. per il processo pe-ald, in cui fasi di deposizione del fosforo e gallio sono separate nel tempo, è stata osservata un'influenza negativa dell'accumulo eccessivo di fosforo sulle pareti della camera. infatti, il fosforo depositato sulle pareti durante la fase di decomposizione del ph3 è attaccato dal plasma di idrogeno durante la successiva fase di decomposizione del trimetilgallo che porta a una deposizione di vapore chimico convenzionale migliorata e indesiderabile incontrollata e indesiderata. per ridurre questo effetto, è stato proposto di introdurre una fase di incisione al plasma di idrogeno, che consente di incidere l'eccesso di fosforo prima dell'inizio della fase di deposizione di gallio e ottenere la modalità di crescita di deposizione a strato atomico.

fonte: iopscience

per ulteriori informazioni, si prega di visitare il nostro sito:http://www.semiconductorwafers.net,

mandaci una email aangel.ye@powerwaywafer.comopowerwaymaterial@gmail.com