nel presente lavoro, gli array di dislocazione sono studiati in wafer di silicio cresciuti in zone float (fz) mediante la tecnica di mappatura della corrente indotta da fascio di luce (lbs) a diverse lunghezze d'onda e mediante spettroscopia transitoria a livello profondo (dlts). la tecnica lbic sembra essere in grado di riconoscere e rilevare questi array e valutare la loro forza di ricombinazione. nei wafer dislocati in fz, una diffusione di fosforo attenua fortemente il contrasto lusco delle dislocazioni, a seconda della durata e della temperatura del trattamento. l'attività elettrica a temperatura ambiente dei difetti, ancora fisicamente presente, sembra scomparire. simultaneamente, l'intensità di picco degli spettri DL relativi alle dislocazioni è ridotta e questa evoluzione dipende dalla temperatura e dalla durata della diffusione del fosforo.
parole chiave
zona galleggiante; forza di ricombinazione; wafer di silicio
fonte: ScienceDirect
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