strato

composizione

spessore (um)

drogaggio (cm-3)

berretto

p + - gaas

0.2

zn: \u0026 gt; 1e19

rivestimento

p - al0.8ga0.2as

1

zn: 1e18

etch stop

GaInP

0.008

zn: 1e18

barriera superiore

al0.45ga0.55as

0,09

non drogato

bene

al0.18ga0.82as

0.004

non drogato

barriera

al0.45ga0.55as

0.01

non drogato

bene

al0.18ga0.82as

0.004

non drogato

barriera

al0.45ga0.55as

0.01

non drogato

bene

al0.18ga0.82as

0.004

non drogato

barriera di fondo

al0.45ga0.55as

0,09

non drogato

rivestimento

n - al0.8ga0.2as

1.4

SI: 1e18

buffer

n - gaas

0.5

SI: 1e18

substrato

n + - gaas

\u0026 EMSP;

s: \u0026 gt; 1e18