Che cosa sta cercando?

luna@powerwaywafer.com

powerwaymaterial@gmail.com 

casa / fotorivelatori ingas /

InGaAs photodetectors

fotorivelatori ingas

categorie

prodotti consigliati

ultime notizie

InGaAs photodetectors

2018-01-16

Material

X

Thickness (nm)

Dopant

Doping concentration

InP

 

1000

N (Sulfur)

3.00E+16

In(x)GaAs

0.53

3000

U/D

5.00E+14

InP

 

500

N (Sulfur)

3.00E+16

Substrate

 

 

SI (Fe)

 

Contattaci

se desideri un preventivo o maggiori informazioni sui nostri prodotti, ti preghiamo di lasciarci un messaggio, ti risponderemo il prima possibile.