i film cubic sic (3c-sic) sono stati depositati su substrati (111) si con un metodo di crescita trifase a vapore-liquido-solido. in tale processo un sottile strato di rame, che è stato evaporato sul substrato si prima della crescita, è stato fuso ad alta temperatura quando il flusso e quindi il metano (fonte di carbonio) sono stati diffusi nello strato liquido per reagire con si, portando al crescita di sic sul substrato. il rame ha mostrato alcune buone proprietà come il flusso, tra cui alta solubilità di silicio e carbonio, bassa temperatura di crescita e bassa volatilità. Sono stati identificati i parametri di crescita adatti per il flusso di rame, in base ai quali sono stati coltivati ​​(111) film 3c-sic testurizzati. è stato osservato un piccolo numero di (220) grani da incorporare nei film (111), che erano difficili da evitare completamente. pozzi di incisione del cu melt sulla superficie del substrato possono fungere da siti preferiti per la crescita di grani (220).

parole chiave

d. sic; epitassia in fase liquida; pellicola sottile

fonte: ScienceDirect

per ulteriori informazioni, si prega di visitare il nostro sito: http://www.powerwaywafer.com /,

mandaci una email a sales@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com .