grazie alla tecnologia mocvd e mbe, pam-xiamen, un fornitore di wafer epitassiale, offre prodotti di wafer epitassiali, tra cui wafer epitassiale gan, waita epitassiale gaas, wafer epitaxial sic, wafer epitassiale inp e ora forniamo una breve introduzione come segue:

1) gan crescita epitassiale su modello di zaffiro;

tipo di conduzione: si drogato (n +)

Spessore: 4um, 20um, 30um, 50um, 100um

orientamento: asse c (0001) ± 1.0 °

resistività: \u0026 lt; 0,05 ohm.cm

densità di dislocazione: \u0026 lt; 1x108cm-2

struttura del substrato: gan on sapphire (0001)

finitura superficiale anteriore (ga-face): cresciuta

finitura superficiale posteriore: ssp o dsp

area utilizzabile: ≥ 90%

misure disponibili: 2 \"(50,8 mm), 3\" (76,2 mm) e 4 \"(100 mm)

voti disponibili: produzione, ricerca e pilota

2) crescita epitassiale al zaffiro;

tipo di conduzione: semi-isolante

spessore: 50-1000nm +/- 10%

orientamento: asse c (0001) +/- 1o

orientamento piatto: a-plane

xrd fwhm di (0002): \u0026 lt; 200 arcsec

struttura del substrato: aln su zaffiro

finitura superficiale posteriore: ssp o dsp, predisposto per epi

area utilizzabile: ≥ 90%

taglie disponibili: 2 \"(50,8 mm),

voti disponibili: produzione, ricerca e pilota

3) crescita epitassiale di algan su zaffiro, compresa la struttura del tronco;

tipo di conduzione: semi-isolante

spessore: 50-1000nm +/- 10%

orientamento: asse c (0001) +/- 1o

orientamento piatto: a-plane

xrd fwhm di (0002): \u0026 lt; 200 arcsec

struttura del substrato: algan su zaffiro

finitura superficiale posteriore: ssp o dsp, predisposto per epi

area utilizzabile: ≥ 90%

taglie disponibili: 2 \"(50,8 mm),

voti disponibili: produzione, ricerca e pilota

4) lt-gaas epi layer su substrato gaas

diametro (mm): Ф 50,8 mm ± 1 mm

spessore: 1-2um o 2-3um

densità del difetto del marco: ≤ 5 cm-2

resistività (300k): \u0026 gt; 108 ohm-cm

carrier: \u003c0.5ps

densità di dislocazione: \u0026 lt; 1x106cm-2

superficie utile: ≥80%

lucidatura: lato singolo lucidato

substrato: substrato gaas

5) waas epitassiali diodo schottky gaas

struttura epitassiale
no.	Materiale	composizione	spessore target (um)	spessore tol.	c / c (cm 3 ) bersaglio	c / c tol.	drogante	tipo di trasportatore
4	GaAs	\u0026 EMSP;	1	± 10%	\u003e 5.0e18	n / a	SI	n ++
3	GaAs	\u0026 EMSP;	0,28	± 10%	2.00e + 17	± 10%	SI	n
2	ga 1-x al X come	x = 0.50	1	± 10%	-	n / a	-	-
1	GaAs	\u0026 EMSP;	0.05	± 10%	-	n / a	-	-
substrato: 2 '', 3 '', 4 \"

6) gaas hemt epi wafer

1) 4 \"s substrato gaas con orientamento [100],

2) [buffer] superlattice di al (0.3) ga (0.7) come / gaas con spessori

10/3 nm, ripetere 170 volte,

3) barriera al (0,3) ga (0,7) come 400 nm,

4) quantum well gaas 20 nm,

5) spacer al (0.3) ga (0.7) come 15 nm,

6) delta-doping con si per creare densità di elettroni 5-6 * 10 ^ 11 cm ^ (- 2),

7) barriera al (0,3) ga (0,7) come 180 nm,

8) cappuccio livello strato 15 nm.

7) wafer epitassiale inp:

substrato inp:

p / e 2 \"dia × 350 +/- 25um,

n-type inp: s

(100) +/- 0.5 °,

edp \u0026 lt; 1E4 / cm2.

un lato lucido, retro opaco inciso, semi appartamenti.

strato epi:

epi 1: ingaas: (100)

spessore: 100nm,

strato di incisione all'acquaforte

epi 2: inp: (100)

spessore: 50nm,

strato di legame

8) wafer led blu

p-gan / p-Algan / InGaN / gan / n-gan / u-gan

p-gan 0,2um

p-algan 0.03um

ingan / gan (area attiva) 0,2um

n-gan 2,5um

etch stop 1.0um

uan (buffer) 3,5um

al2o3 (substrato) 430um

9) wafer led verde

Substrato 1.sapphire: 430um

Strato 2.buffer: 20nm

3. gop gigante: 2,5um

4.si drogato gan 3um

5.quantum area di luce ben illuminata: 200 nm

6. Strato barriera elettronica 20nm

7.mg di gas drogato 200nm

8. contatto di superficie 10nm

fonte: pam-xiamen

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