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proprietà elettriche e strutturali di pellicole gan e diodi emanatori di luce gan / ingan cresciuti su modelli porosi di gan fabbricati mediante incisione elettrochimica e fotoelettrochimica combinata

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proprietà elettriche e strutturali di pellicole gan e diodi emanatori di luce gan / ingan cresciuti su modelli porosi di gan fabbricati mediante incisione elettrochimica e fotoelettrochimica combinata

2017-11-03

mette in risalto

• la sagoma di gan porosa è stata preparata mediante schema di incisione elettrochimica e fotoelettrochimica.

• La struttura a diodi emettitori di luce (led) ingan / gan era eccessivamente ricoperta dal modello gan inciso.

• le pellicole gan troppo cresciute e i led hanno mostrato una minore deformazione e una minore densità dei difetti superficiali.

• le strutture a led incolte hanno mostrato una maggiore efficienza elettrolitica.


i modelli porosi del gan sono stati preparati mediante incisione elettrochimica combinata (ece) e incisione fotoelettrochimica sul retro (pece), seguita dalla crescita eccessiva di film gan e di diodi emettitori di luce (led) a diodi multipli multipli (mq). le proprietà strutturali, luminescenti ed elettriche del gan e delle strutture a led sono state studiate e confrontate con le proprietà di strutture coltivate nelle stesse condizioni su maschere non sottoposte al trattamento con ece-pece. la crescita eccessiva delle strutture a led sui modelli ece-pece ha ridotto deformazione, cracking e micropit, portando a un aumento dell'efficienza quantica interna e all'efficienza dell'estrazione della luce. questo miglioramento della luminescenza è stato osservato nei film gan troppo cresciuti, ma è stato più pronunciato per le strutture led ingan / gan a causa della soppressione del campo di polarizzazione piezoelettrico in qws.

parole chiave

incisione elettrochimica; incisione fotoelettrochimica; gan poroso; diodi emettitori di luce


fonte: ScienceDirect


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