mette in risalto

• lo spessore del grafene coltivato su sic era determinato dalla profilatura di profondità aes.

• il profilo di profondità aes ha verificato la presenza dello strato tampone su sic.

• è stata dimostrata la presenza di legami si insaturi nello strato tampone.

• è stata determinata utilizzando la distribuzione dello spessore dell'analisi multipoint del grafene sul wafer.

spettroscopia elettronica a coclea (aes) è stata applicata la profilazione di profondità per determinare lo spessore di un foglio di grafene di dimensioni macroscopiche cresciuto su 2 in. 6h-sic (0 0 0 1) per epitassia sublimatica. il profilo di profondità misurato deviava dalla forma esponenziale prevista mostrando la presenza di uno strato tampone aggiuntivo. il profilo di profondità misurato è stato confrontato con quello simulato che ha permesso la derivazione degli spessori del grafene e degli strati tampone e la concentrazione di si dello strato tampone. è stato dimostrato che lo strato tampone simile al grafene contiene circa il 30% di si di insaturo. la profilatura di profondità è stata effettuata in più punti (diametro 50 μm), che ha permesso la costruzione di una distribuzione di spessore che caratterizza l'uniformità del foglio di grafene.

parole chiave

grafene su sic; composizione dello strato tampone; una profilazione di profondità; spessore di grafene; epitassia sublimazione

fonte: ScienceDirect

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