wafer di cristallo (sic wafer, wafer gan, wafer gaas, wafer ge, wafer czt, wafer aln, si wafer)

un wafer, chiamato anche fetta o substrato, è una sottile fetta di materiale semiconduttore, come un silicio cristallino, utilizzato nell'elettronica per la fabbricazione di circuiti integrati e nel fotovoltaico per celle solari convenzionali a base di wafer. il wafer funge da substrato per i dispositivi microelettronici incorporati e sopra il wafer e viene sottoposto a numerosi passaggi del processo di microfabbricazione quali il drogaggio o l'impianto di ioni, l'incisione, la deposizione di vari materiali e il disegno fotolitografico. infine i singoli microcircuiti sono separati (a cubetti) e confezionati.

xiamenpowerway materiale avanzato co., ltd offre un'ampia gamma di wafer di cristallo come segue:

1) wafer di cristallo sic : 2” , 3” , 4”

orientamento: 0 ° / 4 ° ± 0,5 °

cristallo singolo 4h / 6h

spessore: (250 ± 25) μm, (330 ± 25) μm, (430 ± 25) μm

Tipo: n / SI

drogante: azoto / v

resistività (rt): 0,02 ~ 0,1 Ω · cm / \u0026 gt; 1e5 Ω · cm

fwhm: a \u0026 lt; 30 arcsec b / c / d \u0026 lt; 50 arcsec

confezione: scatola singola wafer o scatola multi wafer

2) gan crystal wafer: 1.5 \", 2\", 3 \", 4\" 6 \"

substrato gan free-standing (nitruro di gallio)

orientamento: asse C (0001) +/- 0.5 °

Spessore: 350um

resistività (300k): \u0026 lt; 0,5Ω · cm \u0026 gt; 10 ^ 6Ω · cm

densità di dislocazione: \u0026 lt; 5x10 ^ 6cm-2

ttv: \u0026 lt; = 15um

arco: \u0026 lt; = 20um

finitura superficiale: superficie frontale: ra \u0026 lt; 0.2nm.epi-ready lucido

3) wafer di cristallo di germanio : 2 \", 3\", 4 \"

orientamento: +/- 0,5 °

tipo / drogante: n / sb; p / ga

diametro: 100 mm

spessore: 525 +/- 25 um

resistività: 0,1 ~ 40 ohm-cm

posizione piatta primaria: +/- 0,5 gradi

lunghezza piatta primaria: 32,5 +/- 2,5 mm

superficie frontale: lucida

superficie posteriore: mordenzata

finitura della superficie del bordo: terra cilindrica

rugosità superficiale (ra): \u0026 lt; = 5a

epd: \u0026 lt; = 5000 cm-2

epi pronto: sì

pacchetto: singolo contenitore di wafer

4) gaas wafer di cristallo : 2 \", 3\", 4 \", 6\"

Spessore: 220 ~ 500m

tipo di conduzione: sc / n-type

metodo di crescita: vgf

drogante: silicio / zn

orientamento: (100) 20/60/150 di sconto (110)

resistività a rt: (1.5 ~ 9) e-3 ohm.cm

confezione: singolo contenitore per wafer o cassetta

2 \"lt-gaas

spessore: 1-2um o 2-3um

resistività (300k): \u0026 gt; 108 ohm-cm

lucidatura: lato singolo lucidato

wafer di arseniuro di gallio (gaas) per led / ld / microelettronica / applicazioni

5) czt wafer di cristallo (15 * 15 ± 0,05 millimetri, 25 * 25 ± 0,05 millimetri, 30 * 30 ± 0,05 millimetri)

orientamento (111) b, (211) b

spessore:

drogato: non drogato

resistività: ≥1mΩ.cm

epd≤1x105 / cm3

doppio lato lucido

6) aln wafer di cristallo : 2”

7) wafer di cristallo di silicio : 2 \", 3\", 4 \", 6\", 8 \"

8) wafer di cristallo linbo3: 2 \", 3\", 4 \", 6\"

9) wafer di cristallo litao3: 2 \", 3\", 4 \", 6\"

10) inas, inp crystal wafer : 2 \", 3\", 4 \"

11) wafer othercrystal di piccole dimensioni: zno, mgo, ysz, sto, lsat, tio2, lao, al2o3, srtio3, laalo3

dimensioni standard dei wafer

wafer di silicio sono disponibili in una varietà di diametri da 25,4 mm (1 pollice) a 300 mm (11,8 pollici). Gli impianti di fabbricazione di semiconduttori (noti anche come fabs) sono definiti dal diametro dei wafer che vengono lavorati per produrre. il diametro è gradualmente aumentato per migliorare il rendimento e ridurre i costi con l'attuale fab all'avanguardia utilizzando 300 mm, con una proposta di adottare 450 mm. intel, tsmc e Samsung stanno conducendo separatamente la ricerca per l'avvento di 450 mm \" prototipo \"(ricerca) fab, anche se permangono ostacoli seri.

Wafer da 2 pollici (51 mm), da 4 pollici (100 mm), da 6 pollici (150 mm) e da 8 pollici (200 mm)

1 pollice (25 mm)

2 pollici (51 mm). spessore 275 μm.

3 pollici (76 mm). spessore 375 μm.

4 pollici (100 mm). spessore 525 μm.

5 pollici (130 mm) o 125 mm (4,9 pollici). spessore 625 μm.

150 mm (5,9 pollici, in genere indicati come \"6 pollici\"). spessore 675 μm.

200 mm (7,9 pollici). spessore 725 μm.

300 mm (11,8 pollici). spessore 775 μm.

450 mm (17,7 pollici). spessore 925 μm (proposto).

i wafer cresciuti usando materiali diversi dal silicio avranno spessori diversi rispetto a un wafer di silicio dello stesso diametro. lo spessore del wafer è determinato dalla resistenza meccanica del materiale utilizzato; il wafer deve essere abbastanza spesso da sostenere il proprio peso senza rompersi durante la manipolazione.

pulizia, texturing e incisione

i wafer vengono puliti con acidi deboli per rimuovere le particelle indesiderate o per riparare i danni causati durante il processo di taglio. quando vengono utilizzati per celle solari, i wafer sono strutturati per creare una superficie ruvida per aumentare la loro efficienza. lo psg generato (vetro fosfosilicato) viene rimosso dal bordo del wafer nell'incisione.

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