(1 1 1), (1 1 0) Cd0.96Zn0.04Te e (1 1 1) Cd0.9Zn0.1Te wafer semiconduttori cresciuti con il metodo Bridgman verticale modificato con dimensioni di 10 mm × 10 mm × 2,5 mm sono stati lappati con una soluzione di polvere di Al2O3 poligonale di 2-5 µm, e poi lucidata chimicamente meccanicamente da una soluzione acida avente nanoparticelle con un diametro di circa 5 nm, corrispondente alle rugosità superficiali Ra di 2.135 nm, 1.968 nm e 1.856 nm. La durezza e il modulo elastico dei cristalli singoli (1 1 1), (1 1 0) Cd0.96Zn0.04Te e (1 1 1) Cd0.9Zn0.1Te sono 1,21 GPa, 42,5 GPa; 1,02 GPa, 44,0 GPa; e 1,19 GPa, 43,4 GPa, rispettivamente. Dopo che il nanotaglio è stato eseguito dal nanoindentatore di Berkovich, la rugosità superficiale Ra del singolo cristallo (1 1 1) Cd0.9Zn0.1Te raggiunge una superficie ultra-liscia di 0,215 nm. La durezza e il modulo elastico di tre tipi diI singoli cristalli di CdZnTe diminuiscono con l'aumentare del carico di indentazione. Quando il nanoindentatore si allontana dalla superficie dei cristalli, gli effetti di aderenza sono evidenti per i tre tipi di cristalli singoli. Ciò è attribuito al comportamento di adesione alla plastica del materiale CdZnTe a livello di nanoscala. Quando il carico di indentazione dei tre tipi di cristalli singoli CdZnTe è compreso tra 4000 e 12 000 µN, il materiale CdZnTe aderito sul nanoindentatore cade sulla superficie e si accumula attorno alla nanoindentazione.

Fonte: IOPscience

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