nell'ultimo decennio, i composti iii-n hanno attratto molto interesse a causa delle loro applicazioni nell'optoelettronica blu, viola e ultravioletta. la maggior parte dei dispositivi e della ricerca usano zaffiro come substrato per l'epitassia dei nitruri. tuttavia, queste epi-strutture contengono una densità di dislocazione molto elevata indotta dalla mancata corrispondenza del reticolo del 16% ...
pam-xiamen coltiva lingotti di cristallo singolo antimonio di gallio (gasb) di alta qualità. abbiamo anche tondo, segato, tagliato e lucidato i wafer gasb e possiamo fornire una qualità di superficie epi-ready. il gasb di cristallo è un composto formato da 6n puri ga e da elemento sb ed è cresciuto mediante il metodo incapsulato czochralski (lec) con epd \u0026 lt; 1000 cm -3. il cristallo gasb ha...
in questo articolo esaminiamo gli sviluppi della produzione di wafer non polari (cioè piano m e piano piano) e semi-polari (cioè piano 20.1) con metodo ammonotermico. vengono descritti il metodo di crescita e i risultati di lucidatura. siamo riusciti a produrre wafer non- e semi-polari da 26 mm × 26 mm. questi wafer possiedono eccezionali proprietà strutturali e ottiche, con densità di dislocazi...
abbiamo studiato i livelli di energia di transizione dei difetti di vacanza nel nitruro di gallio mediante un approccio di teoria funzionale della densità ibrida (dft). mostriamo che, in contrasto con le previsioni di un recente studio sul livello di dft puramente locale, l'inclusione di uno scambio schermato stabilizza lo stato di carica tripla positiva dell'azoto vacante per energie fermi vicino...
un algan micromacchinato / gan transistor ad alta elettrone-mobilità ( HEMT ) su un substrato si sono studiati strati di dissipazione del calore a diamante simile a carbonio / titanio (dlc / ti). conduttività termica superiore e coefficiente di espansione termica simile a quella di Gan abilitato dlc / ti per dissipare in modo efficiente il calore dell'arco di potenza del gan attraverso il substrat...
i laser a diodi diretti hanno alcune delle caratteristiche più interessanti di qualsiasi laser. sono molto efficienti, compatti, di lunghezza d'onda versatile, a basso costo e altamente affidabili. tuttavia, il pieno utilizzo dei laser a diodi diretti deve ancora essere realizzato. la scarsa qualità di laser a diodi fascio stesso, influenzano direttamente i suoi campi di applicazione, al fine di u...
la condizione di crescita del sottile pesantemente drogato con mg Gan strato di capping e il suo effetto sulla formazione di contatto ohmico di tipo p gan sono stati studiati. è confermato che l'eccessivo dosaggio di mg può effettivamente migliorare il contatto ni / au con p- Gan dopo ricottura a 550 ° c. quando il rapporto di portata tra le fonti di gas mg e g è del 6,4% e la larghezza dello stra...
i recenti progressi nella crescita su si di epitaxial sic film sono presi in considerazione. vengono discussi i metodi classici di base attualmente utilizzati per la crescita dei film sic e vengono esaminati i loro vantaggi e svantaggi. vengono dati l'idea di base e lo sfondo teorico per un nuovo metodo di sintesi di film epitaxial sic su si. verrà mostrato che il nuovo metodo è significativam...
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