Usando la deposizione di vapore chimico migliorata al plasma (PECVD) a 13,56 MHz, uno strato di seme viene fabbricato nella fase di crescita iniziale del microcristallino idrogenato silicio germanio (μc-Si1-xGex: H) i-layer. Gli effetti dei processi di semina sulla crescita di μc-Si1-xGex: H i-layers e le prestazioni di μc-Si1-xGex: H p-i-n celle solari a singola giunzione sono investigati Applica...
Un metodo di imaging non distruttivo senza contatto per la concentrazione di drogante risolta spazialmente, [2.2] N d, e la resistività elettrica, ρ, di wafer di silicio di tipo n e pviene presentato l'utilizzo di immagini carrierografiche lock-in a varie intensità di irradiazione laser. Le informazioni sull'ampiezza e sulla fase provenienti da siti di wafer con resistività nota sono state impiega...
Vengono esaminati i recenti progressi nella crescita dei film epitassiali di SiC su Si. Vengono discussi i metodi classici di base attualmente utilizzati per la crescita dei film di SiC e vengono esplorati i loro vantaggi e svantaggi. L'idea di base e il background teorico per un nuovo metodo di sintesi di film epitassiali di SiCsu Si sono dati. Si dimostrerà che il nuovo metodo è significativamen...