xiamen powerway advanced material co., ltd., un fornitore leader di servizi epi per la crescita di wafer laser basati su gaas e altri prodotti e servizi correlati ha annunciato che la nuova disponibilità di size 3 \"è in produzione di massa nel 2017. questo nuovo prodotto rappresenta un naturale dipendenza da pam-Xiamen La linea di prodotti. dr. shaka, ha dichiarato, \"siamo lieti di offrire ai no...
presentiamo un nuovo processo per l'integrazione germanio con wafer silicon-on-insulator (soi). il germanio viene impiantato in soi che viene poi ossidato, intrappolando il germanio tra i due strati di ossido (l'ossido cresciuto e l'ossido sepolto). con un attento controllo delle condizioni di impianto e di ossidazione, questo processo crea uno strato sottile (gli esperimenti correnti indicano fin...
abbiamo studiato i livelli di energia di transizione dei difetti di vacanza nel nitruro di gallio mediante un approccio di teoria funzionale della densità ibrida (dft). mostriamo che, in contrasto con le previsioni di un recente studio sul livello di dft puramente locale, l'inclusione di uno scambio schermato stabilizza lo stato di carica tripla positiva dell'azoto vacante per energie fermi vicino...
segnaliamo la generazione di microdiscarica in dispositivi composti da microcristallinidiamante. gli scarichi sono stati generati in strutture di dispositivi con geometrie di scarica a catodi microscopici. una struttura consisteva di un wafer diamantato isolante rivestito con strati diamantati drogati con boro su entrambi i lati. una seconda struttura consisteva in un wafer diamantato isolante riv...
i recenti progressi nella crescita su si di epitaxial sic film sono presi in considerazione. vengono discussi i metodi classici di base attualmente utilizzati per la crescita dei film sic e vengono esaminati i loro vantaggi e svantaggi. vengono dati l'idea di base e lo sfondo teorico per un nuovo metodo di sintesi di film epitaxial sic su si. verrà mostrato che il nuovo metodo è significativam...
segmenti inas sono cresciuti in cima alle isole Gaas, inizialmente creati da epitassia di gocce su substrato di silicio. abbiamo esplorato sistematicamente lo spazio dei parametri di crescita per la deposizione di inas, identificando le condizioni per la crescita selettiva GaAs e per una crescita puramente assiale. i segmenti assiali inas sono stati formati con le loro pareti laterali ruotate di 3...
la densità e l'intensità di dispersione della luce dell'ossigeno precipita dentro cz silicio i cristalli sono misurati dalla tomografia a diffusione di luce. i dati numerici chiariti attraverso le misurazioni sono discussi in relazione alla quantità di ossigeno precipitato. i risultati ottenuti qui corrispondono bene con l'analisi teorica che l'ossigeno precipita causando la disper...
I singoli cristalli di GaSb drogati con Te sono studiati misurando gli effetti Hall, gli infrarossi (IR) e gli spettri di fotoluminescenza (PL). Si è trovato che il GaSb di tipo n con trasmittanza IR può essere ottenuto fino al 60% dal controllo critico della concentrazione del Te-doping e della compensazione elettrica. La concentrazione dei difetti associati all'accettore nativo è apparenteme...