Plaquettes De Silicium De Type P

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Effetti dell'impianto di ioni al 4H-SiC sulla resistenza di contatto specifica dei materiali di contatto a base di TiAl
Considerazioni teoriche sul degrado dell'efficienza dovuto all'effetto termico in un LED planare basato su GaN con un substrato GaN
Imaging non distruttivo senza contatto della densità di drogaggio e della resistività elettrica dei wafer di Si semiconduttore mediante carrierografia lock-in

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InGaN sic wafer Wafer epitassiale 4h-sic gan epitassia substrato gan wafer epitassiali substrato gasb struttura epitassiale a diodi laser wafer al germanio nitruro di gallio

Effetti dell'impianto di ioni al 4H-SiC sulla resistenza di contatto specifica dei materiali di contatto a base di TiAl

2018-Sep-29

Per realizzare carburo di silicio ad alte prestazioni ( SiC ) Devono essere sviluppati dispositivi di potenza, contatti ohmici a bassa resistenza a SiC di tipo p. Per ridurre la resistenza di contatto ohmica, è necessario ridurre l'altezza della barriera alle interfacce metallo / SiC o aumentare la concentrazione di drogaggio nei substrati di SiC. Poiché la riduzione dell'altezza della bar...

SiC 4H-SiC carburo di silicio
Considerazioni teoriche sul degrado dell'efficienza dovuto all'effetto termico in un LED planare basato su GaN con un substrato GaN

2018-Dec-18

In questo documento, utilizzando un simulatore di dispositivo elettrotermico tridimensionale completamente accoppiato, studiamo il meccanismo di degrado dell'efficienza ad alto funzionamento corrente in planari sol un Diodi emettitori di luce basati su N (GUIDATO). In particolare, è stato dimostrato il miglioramento del degrado dell'efficienza utilizzando substrati GaN conduttivi più spess...

Wafer epitassiale LED basato su GaN Substrati GaN LED a base di nitruro di gallio
Imaging non distruttivo senza contatto della densità di drogaggio e della resistività elettrica dei wafer di Si semiconduttore mediante carrierografia lock-in

2019-Mar-12

Un metodo di imaging non distruttivo senza contatto per la concentrazione di drogante risolta spazialmente, [2.2] N d, e la resistività elettrica, ρ, di wafer di silicio di tipo n e pviene presentato l'utilizzo di immagini carrierografiche lock-in a varie intensità di irradiazione laser. Le informazioni sull'ampiezza e sulla fase provenienti da siti di wafer con resistività nota sono state impiega...

wafer semiconduttore wafer di silicio di tipo p semiconduttore

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