Le caratteristiche di laser legate alla temperatura di legame del diodo laser GaInAsP (LD) di 1,5 μm coltivate su un legame diretto Substrato InP o Substrato di Si sono stati ottenuti con successo. Abbiamo fabbricato il InP substrato o Si substrato utilizzando una tecnica di legame di wafer idrofilo diretto a temperature di legame di 350, 400 e 450 ° C e depositato GaInAsP o Livelli di doppia eterostruttura InP su questo substrato InP / Si. Le condizioni di superficie, l'analisi della diffrazione ai raggi X (XRD), gli spettri di fotoluminescenza (PL) e le caratteristiche elettriche dopo la crescita sono state confrontate a queste temperature di legame. Nessuna differenza significativa è stata confermata nell'analisi di diffrazione ai raggi X e negli spettri PL a queste temperature di legame. Abbiamo realizzato il laser a temperatura ambiente del GaInAsP LD sul substrato InP / Si incollato a 350 e 400 ° C. Le densità di corrente di soglia erano 4,65 kA / cm2 a 350 ° C e 4,38 kA / cm2 a 400 ° C. La resistenza elettrica è risultata aumentare con la temperatura di ricottura.

Fonte: IOPscience

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